[发明专利]制造围阻层的方法和材料以及由其制成的器件

权利要求书

1.在第一层上形成围阻的第二层的方法，所述方法包括：

形成具有第一表面能的第一层；

用底涂层处理所述第一层；

使所述底涂层以图案形式暴露于辐射下，获得暴露区域和未暴露区域；

使所述底涂层显影以有效地从所述暴露区域或所述未暴露区域移除所述底涂层，获得具有底涂层的图案的第一层，其中所述底涂层的图案具有比所述第一表面能高的第二表面能；并且

通过在所述第一层上的底涂层的图案上液相沉积来形成所述第二层。

2.权利要求1的方法，其中所述未暴露区域被移除。

3.权利要求1的方法，其中通过用液体处理来实施显影。

4.权利要求1的方法，其中通过蒸发来实施显影。

5.权利要求1的方法，其中通过使所述未暴露区域的最外表面与吸收剂表面接触来实施显影。

6.权利要求1的方法，其中通过使所述未暴露区域的最外表面与粘合剂表面接触来实施显影。

7.制备包含电极的有机电子器件的方法，所述电极具有在电极上放置的第一有机活性层和第二有机活性层，所述方法包括：

在所述电极上形成具有第一表面能的第一有机活性层；

用底涂层处理所述第一有机活性层；

使所述底涂层以图案形式暴露于辐射下，获得暴露区域和未暴露区域；

使所述底涂层显影以有效地从所述暴露区域或所述未暴露区域移除底涂层，获得具有底涂层的图案的第一活性有机层，其中底涂层的图案具有比所述第一表面能高的第二表面能；并且

通过在所述第一有机活性层上的底涂层的图案上液相沉积来形成所述第二有机活性层。

8.权利要求7的方法，其中所述第一活性层为空穴传输层，并且所述第二活性层为发射层。

9.权利要求7的方法，其中所述第一活性层为空穴注入层，并且所述第二活性层为空穴传输层。

10.权利要求9的方法，其中所述空穴注入层包含导电聚合物和氟化酸聚合物。

11.权利要求9的方法，其中所述空穴注入层基本上由掺入有氟化酸聚合物和无机纳米颗粒的导电聚合物构成。

12.权利要求9的方法，其中所述底涂层包含空穴传输材料。

13.权利要求9的方法，其中所述底涂层包含选自以下的材料：聚三芳基胺、聚咔唑、聚芴、具有以非平面构型连接的共轭部分的聚三芳基胺、芴和三芳基胺的共聚物、金属喹啉盐、它们的氘代类似物、以及它们的组合。

14.权利要求9的方法，其中所述空穴传输层选自聚三芳基胺、具有以非平面构型连接的共轭部分的聚三芳基胺、以及芴与三芳基胺的共聚物。

15.权利要求9的方法，所述方法还包括通过在所述空穴传输层上液相沉积来形成发射层。