[发明专利]膜沉积装置无效
| 申请号： | 200980160793.0 | 申请日： | 2009-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN102473607A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 桥本信;田边达也 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/46 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 韩峰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沉积 装置 | ||
1.一种膜沉积装置(200，201，301)，包括：
基座(1)，所述基座(1)用于保持衬底(10)；
第一加热构件(7)，所述第一加热构件(7)被放置成面对所述基座(1)的一个主表面；
第二加热构件(2)，所述第二加热构件(2)被放置成面对所述基座(1)的、与所述一个主表面相反设置的另一个主表面；以及
控制单元(30)，所述控制单元(30)能够独立地控制所述第一加热构件(7)和所述第二加热构件(2)彼此的各加热温度。
2.一种膜沉积装置(200，201，301)，包括：
基座(1)，所述基座(1)用于保持衬底(10)；
第一加热构件(7)，所述第一加热构件(7)被放置成面对所述基座(1)的一个主表面；
第二加热构件(2)，所述第二加热构件(2)被放置成面对所述基座(1)的、与所述一个主表面相反设置的另一个主表面；以及
控制单元(30)，所述控制单元(30)能够独立地控制所述第一加热构件(7)和所述第二加热构件(2)彼此的各加热温度，
所述第一加热构件(7)和所述第二加热构件(2)中仅任意一者能够进行操作以施加热，或者所述第一加热构件(7)和所述第二加热构件(2)这二者都能够进行操作以施加热。
3.根据权利要求1所述的膜沉积装置(200，201，301)，还包括：测量单元(5)，所述测量单元(5)用于测量所述衬底(10)的弯曲或翘曲，其中，
基于所述衬底(10)的弯曲或翘曲的测量结果，来彼此独立地控制所述第一加热构件(7)和所述第二加热构件(2)的各加热温度。
4.根据权利要求1所述的膜沉积装置(200，201，301)，其中，
在所述衬底(10)的所述一个主表面之上，提供所要形成的薄膜(21，22，32，42，62)的构成组分的原料气体。
5.根据权利要求4所述的膜沉积装置(200，201，301)，其中，
所述原料气体包括氯化物气体。
6.根据权利要求4所述的膜沉积装置(200，201，301)，其中，
所述原料气体包括非金属材料的氢化物气体。
7.根据权利要求4所述的膜沉积装置(200，201，301)，其中，
所述原料气体包括有机金属化合物的蒸汽。
8.根据权利要求4所述的膜沉积装置(200，201，301)，其中，
所述薄膜(21，22，32，42，62)是III族氮化物半导体。
9.根据权利要求1所述的膜沉积装置(200，201，301)，其中，
在所述衬底(10)的所述一个主表面上，在真空中沉积所要形成的薄膜(21，22，32，42，62)的构成组分的蒸汽。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
