[发明专利]预加载数据到快闪存储装置中有效
申请号: | 200980161096.7 | 申请日: | 2009-10-05 |
公开(公告)号: | CN102483949A | 公开(公告)日: | 2012-05-30 |
发明(设计)人: | S.巴-奥;D.英巴;O.M.斯特恩;Y.埃利 | 申请(专利权)人: | 桑迪士克以色列有限公司 |
主分类号: | G11C11/56 | 分类号: | G11C11/56;G11C16/10 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 黄小临 |
地址: | 以色*** | 国省代码: | 以色列;IL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加载 数据 闪存 装置 | ||
1.一种用于将数据预加载至存储装置中的方法,该方法包括:
在具有多个存储电荷的存储器单元、存储设置模块及存储管理器的存储装置中,其中该存储设置模块可由该存储管理器配置以选择性地根据第一存储设置和第二存储设置之一或其两者来操作该多个存储电荷的存储器单元,通过该存储管理器进行,
确定该存储装置是否连接至编程装置;以及
当该存储装置连接至该编程装置时,
配置该存储设置模块以根据该第一存储设置来操作该多个存储电荷的存储器单元的第一组,
从该编程装置接收第一数据;以及
使用该第一存储设置将该第一数据写入至存储电荷的存储器单元的该第一组中。
2.如权利要求1的方法,其中该第一存储设置促进将该第一组中的每个存储电荷的存储器单元编程到2K个二进制状态中的具体一个以便在其中存储K个数据位。
3.如权利要求2的方法,其中K等于1。
4.如权利要求2的方法,其中K大于1。
5.如权利要求2的方法,其中使用该第一存储设置包括,
当该存储装置连接至该编程装置时,通过使用2K个非传统阈值电压范围的集合将有关存储电荷的存储器单元中的每个编程到该2K个二进制状态中的具体一个而将该第一数据写入至存储电荷的存储器单元的该第一组中;以及
在该存储装置与该编程装置断开连接且嵌入于主机中之后,通过使用2K-1个传统读取参考电压的集合或2K-1个非传统读取参考电压的集合从存储电荷的存储器单元的该第一组读取该第一数据或者其一个或多个所选部分。
6.如权利要求5的方法,其中从存储电荷的存储器单元的该第一组读取该第一数据或所选部分涉及一个或多个读取操作。
7.如权利要求5的方法,其中从其读取该第一数据的所选的一个或多个部分的这些存储器单元基于其对故障的敏感性而预定。
8.如权利要求5的方法,其中分别相对于与该2K个二进制状态相关的2K个传统阈值电压范围的集合及2K-1个传统读取参考电压的集合来升高2K个非传统阈值电压范围的集合及2K-1个非传统读取参考电压的集合。
9.如权利要求1的方法,其中该确定由该存储管理器自主执行。
10.如权利要求1的方法,其中该确定视以下任一个而定:
从该编程装置所接收的命令;
从该编程装置所接收的数据或数据串;以及
从该编程装置所接收的一个或多个数据存储请求。
11.如权利要求1的方法,其中在从该编程装置接收该第一数据之前或之后,由该存储管理器将该第一存储设置选择为默认存储设置。
12.一种用于在存储装置嵌入于主机装置中时重调整预加载至该存储装置中的数据的方法,该方法包括:
在存储装置中,该存储装置具有:多个存储电荷的存储器单元,该多个存储电荷的存储器单元的第一组根据第一存储设置存储第一数据;存储管理器以及存储设置模块,其中该存储设置模块可由该存储管理器配置以选择性地根据该第一存储设置和第二存储设置之一或其两者来操作该多个存储电荷的存储器单元,通过该存储管理器进行:
确定该存储装置嵌入于主机装置中且包含预加载的数据;以及
当该存储装置嵌入于该主机装置中且包含该预加载的数据时,
通过使用该第一存储设置从存储电荷的存储器单元的该第一组读取该第一数据或者其一个或多个所选部分;
配置该存储设置模块以根据第二存储设置操作该多个存储电荷的存储器单元;以及
使用该第二存储设置将所读取的第一数据或者该一个或多个所选部分写入至该多个存储电荷的存储器单元的第二组中。
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