[发明专利]纠错无效

专利信息
申请号: 200980161106.7 申请日: 2009-08-25
公开(公告)号: CN102483710A 公开(公告)日: 2012-05-30
发明(设计)人: J.E.蒂勒马 申请(专利权)人: 惠普发展公司;有限责任合伙企业
主分类号: G06F11/08 分类号: G06F11/08;G06F13/00;G06F12/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 段俊峰;卢江
地址: 美国得*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 纠错
【权利要求书】:

1.一种设备,包括:

到第一存储器和第二存储器的接口;以及

控制逻辑,该控制逻辑用于控制所述接口以向所述第一存储器写入数据字并向所述第二存储器写入与该数据字相关联的检错和纠错(ECC)字。

2.根据权利要求1所述的设备,包括:

获取逻辑,该获取逻辑用于控制所述接口以在单个获取时间段期间同时从第一存储器获取数据字并从第二存储器获取ECC字。

3.根据权利要求1或2中的任一项所述的设备,包括:

ECC逻辑,其被配置为根据在ECC逻辑中可用的多种ECC方法之一而在所述设备中以硬件执行对数据字和ECC字的检错和纠错,ECC方法是动态可选的。

4.根据权利要求1、2或3中的任一项所述的设备,第一存储器是经由第一数据总线可访问的且第二存储器是经由第二、不同的数据总线可访问的。

5.权利要求3的设备,其中所述ECC逻辑用于控制ECC字大小。

6.根据权利要求1、2、3、4或5中的任一项所述的设备,所述控制逻辑被配置为选择性地控制与数据字相关联的ECC字是否被写入到第二存储器。

7.根据权利要求1、2、3、4、5或6中的任一项所述的设备,包括所述第一存储器和所述第二存储器,所述第一存储器是RAM、NVRAM、DIMM和存储器结构中的一个,所述第二存储器是RAM、NVRAM、DIMM和存储器结构中的一个,以及

其中所述第一存储器和第二存储器中的至少一个不提供原生ECC支持。

8.根据权利要求1、2、3、4、5、6或7中的任一项所述的设备,所述控制逻辑被配置为通过用来自第二DIMM的附加比特来选择性地扩展由第一ECC DIMM提供的ECC比特而支持单芯片容错和双芯片容错中的一个或多个。

9.根据权利要求1、2、3、4、5、6、7或8中的任一项所述的设备,在存储器控制器中实现所述设备。

10.根据权利要求1、2、3、4、5、6、7、8或9中的任一项所述的设备,所述第一存储器被配置为存储仅数据字以及数据字和ECC字两者中的一个,第二存储器被配置为存储仅ECC字以及ECC字和数据字两者中的一个。

11.一种方法,包括:

在硬件电路中计算与数据字相关联的检错和纠错(ECC)字;

向第一存储器写入所述数据字;以及

向第二、不同存储器写入所述ECC字。

12.权利要求11的方法,包括:

选择性地确定ECC字的大小;以及

选择性地控制所述电路如何用于计算ECC字。

13.根据权利要求11或12中的任一项所述的方法,包括:

在一个获取时段中从第一存储器和第二存储器检索已检索数据字和已检索ECC字两者;以及

选择性地控制所述电路如何用于基于已检索ECC字来执行对已检索数据字的检错和纠错。

14.根据权利要求11、12或13中的任一项所述的方法,包括:

选择性地确定是否使用第二存储器来存储数据字。

15.一种系统,包括:

用于访问可在一个获取周期中作为两个单独存储器来访问的第一存储器和第二存储器的装置;

用于在第一存储器中选择性地写入和读取数据字的装置;以及

用于在第二存储器中选择性地写入和读取ECC字的装置,其中第二存储器中的ECC字与第一存储器中的数据字相关。

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