[发明专利]镀锡层的耐热剥离性优良的Cu-Ni-Si系合金镀锡条有效
申请号: | 200980161188.5 | 申请日: | 2009-09-30 |
公开(公告)号: | CN102482794A | 公开(公告)日: | 2012-05-30 |
发明(设计)人: | 长野真之 | 申请(专利权)人: | JX日矿日石金属株式会社 |
主分类号: | C25D5/50 | 分类号: | C25D5/50;C22C9/02;C22C9/04;C22C9/06;C25D7/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 卢曼;高旭轶 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 镀锡 耐热 剥离 优良 cu ni si 合金 | ||
技术领域
本发明涉及一种具有良好的耐热剥离性的Cu-Ni-Si系合金镀锡条,其适合用作连接器、端子、继电器、开关等的导电性弹簧材料。
背景技术
以往,作为连接器、端子等电子材料用铜合金,使用以磷青铜和黄铜为代表的固溶强化型铜合金。但是,近年来,随着端子、连接器等的小型化的发展,具有更高强度和更高导电性的沉淀硬化型铜合金的使用量逐渐增加,取代了以往的固溶强化型铜合金。沉淀硬化型铜合金中,通过对经固溶化处理的过饱和固溶体实施时效处理,微细的析出物均匀地分散,合金的强度提高,与此同时,铜中的固溶元素量减少,导电性提高。因此,沉淀硬化型铜合金的强度、导电性优良。
沉淀硬化型铜合金的代表性的例子有Cu-Ni-Si系合金,作为电子材料用铜合金正逐渐实用化。该铜合金中,微细的Ni-Si系金属互化物粒子在铜基质中析出,因而强度和导电率提高。Cu-Ni-Si系合金的常规制造工艺与普通的沉淀硬化型铜合金相同,首先进行大气熔化,铸造所需组成的铸锭。然后进行热轧、冷轧和时效热处理,制成具有所需厚度和特性的条或箔。
对如上所述制造的Cu-Ni-Si系合金条等实施镀Sn而得的Cu-Ni-Si系合金镀Sn条可以发挥Sn的优良的焊接浸润性和电连接性而用作汽车和民用的连接器、端子等。因此,对于Cu-Ni-Si系合金镀Sn条的特性,除了要求优良的强度、高电气和热传导性以外,还要求镀锡层的耐热剥离性等也优良。
Cu-Ni-Si系合金镀Sn条通常通过下述工序制造:在连续镀敷流水线上进行脱脂及酸洗后通过电镀法实施基底镀敷,接着通过电镀法实施镀Sn,最后实施回流(reflow)处理,使Sn镀层熔融。
作为Cu-Ni-Si系合金镀Sn条的基底镀层,通常采用Cu基底镀层,对于要求耐热性的用途,有时也实施Cu/Ni双层基底镀层。这里,Cu/Ni双层基底镀层是指按照Ni基底镀层、Cu基底镀层、Sn镀层的顺序进行电镀后实施回流处理而得的镀层。该技术在专利文献1~3(日本专利特开平6-196349、日本专利特开2003-293187、日本专利特开2004-68026号公报)等中揭示。
关于镀层剥离性,在专利文献4(日本专利特开平9-209062号公报)中,为了改善焊接浸润性和Ag镀层的耐加热膨胀性而限定了Si氧化物的大小。专利文献5(日本专利特开2007-39789号公报)中记载,有效的是抑制镀层与母材的界面的Si浓度。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利特开平6-196349号公报
专利文献2:日本专利特开2003-293187号公报
专利文献3:日本专利特开2004-68026号公报
专利文献4:日本专利特开平9-209062号公报
专利文献5:日本专利特开2007-39789号公报
发明内容
发明要解决的课题
但是,专利文献1~3的Cu-Ni-Si系合金镀Sn条存在长时间保持在高温下时镀层会从母材剥离的问题。
上述专利文献4不是涉及Sn镀层的发明,而是涉及Ag镀层的发明,在经济性方面不理想,即使将为了改善耐加热膨胀性而在该文献中采用的对Si氧化物大小的限定直接应用于Sn镀层,也由于镀层成分不同而无法期待优良的效果。
虽然专利文献5中记载,为了获得良好的耐热剥离性,有效的是抑制镀层与母材的界面的Si浓度,但并没有关于促进耐热剥离性的其它元素的浓度的记载。
于是,本发明人从与上述现有技术完全不同的角度进行了Cu-Ni-Si系合金镀锡条的耐热剥离性的改善。
解决课题用的手段
本发明人着眼于实施回流处理后的Cu-Ni-Si系合金镀Sn条的母材与其正上方的镀层的界面的Si浓度和Zn浓度,考察界面的Si浓度和Zn浓度与镀层的耐热剥离性之间的关系,获得了以下见解。
Cu-Ni-Si系合金如上所述,通过对经固溶化处理的过饱和固溶体实施时效处理,微细的Ni-Si化合物粒子析出,有助于强度提高。但是,固溶Si并非全都以Ni-Si化合物的形式析出,而是有一部分固溶于Cu基质中而残存。该残存的固溶Si在镀敷后必然也会残存,在镀敷后迁移至母材与镀层的界面,在界面上生成Si浓化层。该生成于母材/镀层界面上的Si浓化层成为镀层剥离的原因。因此,为了获得良好的镀层的耐热剥离性,需要防止回流处理后的母材与镀层的界面下的Si浓度的升高。
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