[发明专利]IC封装件及其制造方法

权利要求书

1.一种形成IC封装件的方法，该方法包括：

提供具有第一值的厚度的金属引线框架；

图案化金属引线框架的顶部表面以在其中形成凹进处，该顶部表面凹进处限定了多个接合区域；

有选择地电镀顶部表面；

安装IC芯片到顶部表面上；

将IC芯片电耦合到多个接合区域；

在封装混合物中封装IC芯片；

通过从金属引线框架的底部表面移除一层金属来将金属引线框架的厚度减小到第二值；

有选择地电镀金属引线框架的底部表面以在其上形成图案，该图案限定了金属引线框架要被蚀刻的部分；

有选择地蚀刻金属引线框架的该部分以在其底部表面中形成凹进处，该底部表面凹进处相对于引线框架的底部表面限定了具有侧壁的多个接触垫，该引线框架的底部表面在其中具有蚀刻底切；以及

其中通过将金属引线框架的厚度减小到第二量，来减小该底切的深度。

2.权利要求1的方法，其中有选择地蚀刻形成了在多个接触垫的底部表面中的多个凹痕。

3.权利要求2的方法，其中有选择地蚀刻形成了至少一个环形通道，该至少一个环形通道环绕多个凹痕中的至少一个凹痕。

4.权利要求2的方法，以及进一步包括：

施加导电可焊接材料到多个凹痕。

5.权利要求1的方法，其中金属引线框架的厚度的第一值小于大约5mil。

6.权利要求1的方法，其中第一值和第二值之间的差大于约1mil。

7.一种图案化集成电路（IC）封装件的底部表面的方法，该集成电路封装件的类型为具有安装到金属引线框架并电耦合到置于金属引线框架顶部表面上的接合区域的IC芯片，该IC芯片被封装在封装混合物中，该方法包括：

从金属引线框架的整个底部表面实质上移除一层金属以暴露其表面；

施加抗蚀刻剂材料到金属引线框架的暴露表面以在其上形成图案，该图案限定了金属引线框架要被蚀刻的部分；

有选择地蚀刻由该图案限定的金属引线框架的该部分以电隔离多个接触垫，并在多个接触垫的底部表面中形成凹痕，该多个接触垫具有侧壁，该侧壁在其中具有蚀刻底切；以及

其中通过从金属引线框架的整个底部表面实质上移除该层金属，来减小侧壁中的蚀刻底切的深度。

8.一种集成电路（IC）封装件，包括：

金属引线框架，具有在其顶部表面和底部表面上的凹进处的图案，在顶部表面上的凹进处限定了多个接合区域，以及在其底部表面上的凹进处限定了电耦合到接合区域的多个接触垫，每个接触垫具有蚀刻到其底部表面中的凹痕；

IC芯片，安装到金属引线框架并电耦合到接合区域，该IC芯片被封装在封装混合物中；以及

导电可焊接材料，填充每个接触垫的凹痕。

9.权利要求8的IC封装件，其中多个接触垫中的至少一个接触垫具有蚀刻到其底部表面中并且环绕凹痕的环形通道。

10.权利要求8的IC封装件，其中至少一个接合区域的表面面积小于与其电耦合的接触垫的表面面积。

11.权利要求的IC封装件，其中蚀刻到至少一个接触垫中的凹痕一般是抛物线形状的凹面。

12.一种图案化集成电路（IC）封装件的底部表面的方法，该集成电路封装件的类型为具有安装到金属引线框架并电耦合到置于金属引线框架顶部表面上的接合区域的IC芯片，该IC芯片被封装在封装混合物中，该方法包括：

施加抗蚀刻剂层到IC封装件的金属引线框架的底部表面以在其上形成图案，该图案限定了金属引线框架要被蚀刻的部分；

有选择地蚀刻由该图案限定的金属引线框架的该部分以电隔离多个接触垫并在多个接触垫的底部表面中形成凹痕；以及

施加导电可焊接材料到多个接触垫的底部表面。

13.权利要求12的方法，以及进一步包括：

在施加抗蚀刻剂层到金属引线框架之前，在金属引线框架的整个底部表面上实质上移除一层金属引线框架。

14.权利要求12的方法，其中施加抗蚀刻剂层包括施加金属镀覆。

15.权利要求12的方法，其中施加抗蚀刻剂层包括施加抗蚀刻剂层到金属引线框架的顶部表面和底部表面两者。