[发明专利]具有用电压相关电阻器形成的本征二极管的可开关结

权利要求书

1.一种具有用电压相关电阻器（640）形成的本征二极管（634）的可开关结元件（600），包括：

第一电极（618）；

第二电极（622）；

忆阻基体（620），其被配置为与所述第一电极（618）形成电界面（630），所述电界面具有可编程电导；以及

与所述忆阻基体（620）电接触的所述电压相关电阻器（VDR）（640），所述电压相关电阻器被配置为与所述第二电极（622）形成整流二极管界面（628）。

2.根据权利要求1所述的可开关结元件（600），其中，第一（618）和第二（622）电极由选自由金、银、铝、铜、铂、钯、钌、铑、锇、钨、钼、钽、铌、钴、镍、铁、铬、钒、钛、铱、氧化铱、氧化钌、氮化钛、碳化钛、氮化钽以及碳化钽组成的组中的材料形成。

3.上述权利要求中的任一项的可开关结元件（600），其中，忆阻基体（620）由选自由二氧化钛、二氧化锆、二氧化铪、氧化钽、氧化钒、氧化钼、三氧化锶钛、氮化镓和氯化铜组成的组中的材料形成。

4.上述权利要求中的任一项的可开关结元件（600），其中，所述忆阻基体材料包括选自由氧空位、氮空位、氯空位和硫化物离子组成的组中的移动掺杂剂。

5.上述权利要求中的任一项的可开关结元件（600），其中，VDR（640）的电阻随着VDR（640）两端的电压增加而降低。

6.上述权利要求中的任一项的可开关结元件（600），其中，当在第一（618）与第二（622）电极两端施加写电压时，VDR（640）两端的电压降使与第二电极（622）的整流二极管界面（628）两端的电压降降低。

7.上述权利要求中的任一项的可开关结元件，进一步包括被对准以形成交叉杆阵列（200）的多个可开关结元件。

8.根据上述权利要求中的任一项所述的可开关结，其中，所述可开关结元件（600）被配置为在交叉杆阵列（200）中的两个纳米线（102、104）之间形成可开关电连接。

9.根据上述权利要求中的任一项所述的可开关结，其中，移动掺杂剂（624）配置为通过在第一（618）和第二（622）电极两端施加编程电压而被移动通过忆阻基体（620）；其中移动掺杂剂分布被配置为定义电界面（630）的可编程电导。

10.根据上述权利要求中的任一项所述的可开关结元件，其中，当在第一（618）和第二（622）电极两端施加开关电压和读电压中的一个时，VDR（640）减小通过可开关结元件（600）的电流流动。

11.一种具有用电压相关电阻器形成的本征二极管（634）的可开关结元件（600），包括：

第一电极（618）；

第二电极（622）；

忆阻基体（620），其具有移动掺杂剂（624）；

所述忆阻基体与第一电极（618）之间的第一电界面（626），其在操作中用于形成第一整流二极管界面（630）；

其中所述电压相关电阻器（640）与所述忆阻基体（620）电接触；

所述电压相关电阻器与第二电极（622）之间形成的第二电界面（628），其在操作中用于形成第二整流二极管界面（634）；且

其中，当在第一（618）与第二（622）电极之间施加开关电压时，电压相关电阻器（640）两端的电压降减小第二电界面（628）两端的电压降。

12.根据权利要求11所述的可开关结元件（600），其中，当在第一（618）和第二（622）电极之间施加读电压和开关电压中的一个时，电压相关电阻器减小通过可开关结元件的电流流动。

13.根据权利要求11所述的可开关结，其中，VDR（640）的电阻随着VDR（640）两端的电压增加而降低。

14.根据权利要求11、12和13所述的可开关结，其中，所述可开关结（600）被配置为在交叉杆阵列（200）中的两个纳米线（102、104）之间形成可开关电连接。

15.根据权利要求11、12、和13以及14所述的可开关结，其中，移动掺杂剂（624）配置为通过在第一（618）和第二（622）电极两端施加编程电压而被移动通过忆阻基体（620）；移动掺杂剂分布被配置为定义电界面（626）的可编程电导。