[发明专利]放射线检测器无效
申请号: | 200980161770.1 | 申请日: | 2009-10-05 |
公开(公告)号: | CN102549454A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 佐藤贤治;辻久男;佐佐木理;村上大辅;山口庸一;山本武史;岸本荣俊 | 申请(专利权)人: | 株式会社岛津制作所 |
主分类号: | G01T1/24 | 分类号: | G01T1/24;H01L27/14 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 放射线 检测器 | ||
1.一种放射线检测器,其特征在于,具有:
(a)放射线感应型的半导体层,其利用放射线的入射生成载流子;
(b)高电阻膜,其以覆盖上述半导体层的上表面的方式形成,选择性地使载流子透过;
(c)共用电极,其形成在上述高电阻膜的上表面上,对上述高电阻膜及上述半导体层施加偏压;
(d)矩阵基板,其形成在上述半导体层的下表面上,对每个像素蓄积由上述半导体层生成的载流子并读出该载流子;
(e)固化性合成树脂膜,其覆盖形成在上述矩阵基板的上表面上的上述半导体层、上述高电阻膜及上述共用电极的整个表面;
(f)绝缘性的辅助板,其以夹着上述固化性合成树脂膜地与上述矩阵基板相对的方式配置,具有与矩阵基板同等程度的热膨胀系数;以及
(g)阻挡层,其沿上述共用电极的外缘部形成在上述高电阻膜的上表面上,防止上述半导体层与上述固化性合成树脂膜的化学反应,并且与上述固化性合成树脂膜间具有粘合性,由不与上述半导体层发生化学反应的绝缘材料形成。
2.根据权利要求1所述的放射线检测器,其特征在于,
上述共用电极是多边形形状,
上述阻挡层在沿共用电极的外缘部形成在上述高电阻膜的上表面上的区域内,形成在限定于上述共用电极的顶点周边部分的区域的上表面上。
3.根据权利要求1或2所述的放射线检测器,其特征在于,
上述矩阵基板是由以下构件构成的有源矩阵基板:像素电极,其对每个像素收集由上述半导体层生成的载流子;电容器,其蓄积与收集在上述像素电极内的载流子的数量相应的电荷;开关元件,其读出上述被蓄积的电荷;以及电荷配线,其呈格栅状排列,并且与设在各格栅点上的上述开关元件连接。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的放射线检测器,其特征在于,
上述半导体层是无定形硒。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的放射线检测器,其特征在于,
上述固化性合成树脂膜是环氧树脂。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的放射线检测器,其特征在于,
上述阻挡层的膜厚比上述高电阻膜的膜厚厚且上限为500μm以下。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的放射线检测器,其特征在于,
上述阻挡层是不含有胺系材料的非胺系合成树脂。
8.根据权利要求7所述的放射线检测器,其特征在于,
上述阻挡层是在不足40℃的温度下所形成的上述非胺系合成树脂。
9.根据权利要求8所述的放射线检测器,其特征在于,
上述非胺系合成树脂是溶解在不含有胺系材料的非胺系溶剂中的丙烯酸树脂、聚氨酯树脂、聚碳酸酯树脂及合成橡胶中的任1种,且通过使非胺系溶剂以常温挥发而形成。
10.根据权利要求9所述的放射线检测器,其特征在于,
上述非胺系溶剂至少含有甲苯、醋酸丁酯、甲基乙基酮、甲基环己烷、乙基环己烷、二甲苯及二氯苯中的1种。
11.根据权利要求8所述的放射线检测器,其特征在于,
上述阻挡层是光固化性树脂,利用光照射使光固化性树脂固化而形成该阻挡层。
12.根据权利要求8所述的放射线检测器,其特征在于,
上述阻挡层通过利用真空蒸镀法被覆上述非胺系合成树脂而形成。
13.根据权利要求12所述的放射线检测器,其特征在于,
上述非胺系合成树脂是聚对二甲苯。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社岛津制作所,未经株式会社岛津制作所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200980161770.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。