[发明专利]太阳能电池单元有效
申请号: | 200980162404.8 | 申请日: | 2009-11-13 |
公开(公告)号: | CN102687279A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 三浦辉人;越前谷大介;中村真之;宫本慎介 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/05 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 许海兰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 单元 | ||
技术领域
本发明涉及一种具备与电极接合而取出电输出(electricaloutput)的引线、并能够降低接合了该引线之后的单元破裂的太阳能电池单元。
背景技术
以取出电输出为目的,对太阳能电池单元接合了由扁铜线(rectangular copper wire)构成的引线。该引线在从刚刚接合之后的高温状态冷却到常温时进行收缩。该引线的收缩使基板发生翘曲或发生局部性的变形,从而成为太阳能电池单元破裂的原因。
在构成太阳能电池单元的半导体基板的受光面(主面),以接合引线为目的,形成有在直线上延伸的引导接合电极。另一方面,在基板的背面,同样地以接合引线为目的,隔开规定的间隔而点状(跳焊)地形成了引导接合电极。并且,基板的背面的点状的引导接合电极以外的部分全部为铝电极。
也可以以沿着引线的方式从半导体基板的端部至端部为止连续地设置引导接合电极。但是,铝电极与引导接合电极的边界部的强度低,所以当裂缝波及到引导接合电极的某一位置时,裂缝会沿着该边界而波及到半导体基板的全长。
为了避免这个问题,以往如上所述,隔开规定的间隔而点状(跳焊)地形成了引导接合电极。由此,即使在边界部的某处产生了裂缝,裂缝也不会波及到相邻的引导接合电极(例如,参照专利文献1)。
专利文献1:国际公开第WO2009/019928号说明书
发明内容
一般在对半导体基板锡焊接合了由扁铜线构成的引线的情况下,由于引线与半导体基板的线膨胀系数的差异,在冷却时应力会起作用,具体而言,引线(铜)的收缩率(Shrinkage factor)大于半导体基板,所以引线的应力起作用以使形成于太阳能电池单元表面的引导接合电极的间隔缩短。对受光面连接受光面引线,并对背面连接背面引线,使两个引线的应力都起作用以使基板表面缩小,但是,来自背面引线的应力对半导体基板发挥更大的作用,所以半导体基板发生翘曲以使背面侧变凹。
在将收缩率不同的薄板进行粘贴的结构中,当一方的薄板收缩时会向一侧翘曲。该翘曲从中央部至端部为止逐渐累加(例如,像加热了的乌贼的小片)并在平板的端部弯曲最大。这样,通过发明人等的仿真以及实验也可知翘曲在半导体基板的端部最大。于是,由于该半导体基板端部的翘曲成为单元破裂的原因,所以期望改善。
本发明是鉴于上述问题而完成的,其目的在于得到一种太阳能电池单元,能够减少在半导体基板的端部发生的过大变形,削减破裂的发生。
为了解决上述问题并达到目的,本发明的太阳能电池单元在接收太阳光而产生电力的半导体基板的受光面侧具有受光面引导接合电极,在半导体基板的背面侧具有背面引导接合电极,对受光面引导接合电极以及背面引导接合电极分别连接受光面引线以及背面引线而取出所产生的电力,所述太阳能电池单元的特征在于,背面引线在半导体基板的背面侧在直线上延伸,背面引导接合电极沿着背面引线,在直线上隔开规定的间隔而点状地形成了多个,背面引导接合电极的间距在半导体基板的中央部大,并在半导体基板的端部小。
根据本发明的太阳能电池单元,在半导体基板的端部,背面引导接合电极的配置变密,基板的刚性变大,所以半导体基板的端部的翘曲减少。由此,抑制了半导体基板的破裂。
附图说明
图1是本发明的实施方式1的太阳能电池单元的从背面侧观察的图。
图2是本发明的实施方式1的太阳能电池单元的从受光面侧观察的图。
图3是示出多个太阳能电池单元通过受光面引线以及背面引线依次连接的样子的立体图。
图4是示出由通过受光面引线以及背面引线依次连接的太阳能电池单元构成的太阳能电池阵列被密封到太阳能电池组件内的样子的立体图。
图5是图4的太阳能电池组件分解立体图。
图6是为了比较而示出的以往的太阳能电池单元的从背面侧观察的图。
图7是本发明的实施方式2的太阳能电池单元的从背面侧观察的图。
图8是本发明的实施方式3的太阳能电池单元的从背面侧观察的图。
图9是本发明的实施方式4的太阳能电池单元的从背面侧观察的图。
图10是示出本发明的实施方式4的银电极(silver electrode)的间距(pitch)的变化的曲线的图。
(符号说明)
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的