[发明专利]使用场效应晶体管作为变容器的连续可调电感电容谐振器有效
| 申请号： | 200980162723.9 | 申请日： | 2009-10-02 |
| 公开（公告）号： | CN102742016A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 李斌;P.J.赞帕蒂;A.G.梅茨格 | 申请（专利权）人： | 天工方案公司 |
| 主分类号： | H01L29/93 | 分类号： | H01L29/93 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 黄小临 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 使用 场效应 晶体管 作为 容器 连续 可调 电感 电容 谐振器 | ||
1.一种变容器，包括：
与双极结晶体管（BJT）的至少一部分集成的场效应晶体管（FET），其中FET的背栅与BJT的基极共享电连接，并且其中施加到FET的背栅的反向电压在FET的沟道中产生连续可变电容。
2.如权利要求1所述的变容器，还包括施加到FET的前栅的反向电压。
3.如权利要求2所述的变容器，其中施加到背栅或前栅的反向电压的范围从-0.4到-5.0V。
4.如权利要求2所述的变容器，其中所述连续可变电容是FET的栅极电容。
5.如权利要求2所述的变容器，其中FET的前栅电连接到FET的背栅。
6.如权利要求4所述的变容器，其中至少在预定电压范围内，利用基本线性的电容-电压响应实现所述连续可变电容。
7.如权利要求6所述的变容器，其中所述变容器实现为射频通过门。
8.一种方法，包括：
施加反向电压到与双极结晶体管（BJT）集成的场效应晶体管（FET）的背栅，其中FET的背栅与BJT的基极共享电连接，并且其中施加到FET的背栅的反向电压在FET的沟道中产生连续可变电容。
9.如权利要求8所述的方法，还包括施加反向电压到FET的前栅。
10.如权利要求9所述的方法，其中施加到背栅或前栅的反向电压的范围从-0.4到-5.0V。
11.如权利要求9所述的方法，其中所述连续可变电容是FET的栅极电容。
12.如权利要求9所述的方法，其中FET的前栅电连接到FET的背栅。
13.如权利要求11所述的方法，其中至少在预定电压范围内，利用基本线性的电容-电压响应实现所述连续可变电容。
14.如权利要求9所述的方法，还包括将FET实现为射频通过门。
15.一种FET，包括：
集成的双极结晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET），其中FET的背栅与BJT的基极共享电连接，并且其中施加到FET的背栅或FET的前栅之一的反向电压在FET的沟道中产生连续可变电容。
16.如权利要求15所述的FET，其中施加到背栅或前栅的反向电压的范围从-0.4到-5.0V。
17.如权利要求15所述的FET，其中所述连续可变电容是FET的栅极电容。
18.如权利要求15所述的FET，其中FET的前栅电连接到FET的背栅。
19.如权利要求17所述的FET，其中至少在预定电压范围内，利用基本线性的电容-电压响应实现所述连续可变电容。
20.一种CMOS NFET：包括：
场效应晶体管（FET），其中FET的前栅与FET的主体共享电连接，并且其中施加到FET的前栅或FET的主体之一的反向电压在FET的沟道中产生连续可变电容，并且其中CMOS NFET实现为射频通过门。
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