[发明专利]TFT基板检查装置以及TFT基板检查方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)基板检查装置，该TFT基板检查装置使用在液晶基板等TFT面板(panel)的制造步骤中的TFT基板检查中。本发明特别涉及一种适合于短路(short)缺陷检查的TFT基板检查装置。

背景技术

对于液晶基板或有机电致发光(Electroluminescence，EL)基板等形成有TFT阵列(array)的半导体基板的制造过程而言，在制造过程中包含TFT阵列检查步骤，在该TFT阵列检查步骤中，对TFT阵列进行缺陷检查。

TFT阵列例如是用作液晶显示装置的选择像素(pixel)(像素电极)的开关(switching)元件。包括TFT阵列的基板例如平行地配设有多根作为扫描线而发挥功能的栅极线(gate line)，并且与栅极线正交地配设有记载为信号线的多根源极线(source line)，在两线相交叉的部分的附近配设有TFT(Thin film transistor)，驱动信号经由该TFT而供给至像素(像素电极)。

将液晶层夹在设置有所述TFT阵列的基板与对向基板之间，借此来构成液晶显示装置，在对向基板所具有的对向电极与像素(像素电极)之间形成有像素电容。除了所述像素电容以外，附加电容(Cs)也连接于像素(像素电极)。该附加电容(Cs)的一端连接于像素(像素电极)，另一端连接于共用线或栅极线。连接于共用线的构成的TFT阵列被称为Cs on Com型TFT阵列，连接于栅极线的构成的TFT阵列被称为Cs on Gate型TFT阵列。

例如将对向电极接地，以规定间隔将例如-15V～+15V的直流电压施加至全部的栅极线或栅极线的一部分，并将检查用的驱动信号施加至全部的源极线或源极线的一部分，借此，对由所述TFT阵列中的扫描线(栅极线)或信号线(源极线)的断线、扫描线(栅极线)与信号线(源极线)的短路、及将像素予以驱动的TFT的特性不良所引起的像素缺陷等缺陷进行检查。(例如专利文献1的先前技术、专利文献2)

TFT基板检查装置可将检查用的驱动信号输入至TFT阵列，对此时的电压状态进行检测，借此来进行缺陷检测。

使用电子束(electron beam)的TFT基板检查装置将电子束照射至像素(像素电极)，对因所述电子束照射而释放出的二次电子进行检测，根据该二次电子的强度变化来判别像素单位中是否存在缺陷。此处，利用光电倍增器(photomultiplier)等来将获得的二次电子强度的信号转换成模拟(analog)信号，按照像素单位来分配借由坐标转换而获得的数据(data)，借由图像处理来将缺陷予以抽出，接着基于已获得的缺陷数据来进行缺陷检查。对于所述检查中所使用的检查信号，以基板为单位来设定一种检查信号模式(pattern)。

在TFT阵列的制造过程(process)中，有可能会产生各种缺陷。缺陷的种类例如有像素与源极线之间的短路缺陷(S-D short)、像素与栅极线之间的短路缺陷(G-D short)、像素与共用线(Cs线)之间的短路缺陷(D-Cs short)、源极线与栅极线之间的线缺陷、源极线-共用线(Cs线)之间的短路缺陷、以及栅极线-共用线(Cs线)之间的短路缺陷等。

所述缺陷中，源极线-共用线(Cs线)之间的缺陷、栅极线-共用线(Cs线)之间的缺陷、以及源极线与栅极线之间的缺陷为线缺陷，S-D short或G-D short或D-Cs short是作为点缺陷而为人所知。

通常，使用针对基板而设定的一种检查信号模式来将各面板予以驱动，借此，能够对线缺陷进行检测。

图12是用以对线缺陷及点缺陷进行说明的图。图12表示包括共用线(Cs线)的构成例。在面板中，在呈格子状地配置的源极线31与栅极线32的交叉位置的附近设置有TFT35，像素电极34连接于TFT35的漏极(drain)。像素电极34经由电容而连接于Cs线33。

图12(a)表示线缺陷的例子。源极线31与Cs线(共用线)33之间、或栅极线32与Cs线(共用线)33之间有可能会产生短路缺陷(short defect)，且该短路缺陷(short defect)表现为线缺陷。

图12(b)表示点缺陷的例子。像素与源极线之间有可能会产生短路缺陷(S-D short)，有可能会产生像素与栅极线之间的短路缺陷(G-D short)，另外，有可能会产生像素与Cs线(共用线)之间的短路缺陷(D-Cs short)。所述缺陷表现为点缺陷。