[发明专利]用于减小烃的溴指数的方法有效
申请号: | 200980163165.8 | 申请日: | 2009-12-24 |
公开(公告)号: | CN102712853A | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | 孔吉·苏里耶;苏拉查特·沙洛通;纳卡林·蒙空斯里;维龙·丹他帕尼查孔 | 申请(专利权)人: | SCG化学有限公司 |
主分类号: | C10G25/03 | 分类号: | C10G25/03;B01J29/90;B01J35/10;B01J38/04;C07C7/13 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 李丙林;张英 |
地址: | 泰国*** | 国省代码: | 泰国;TH |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 减小 指数 方法 | ||
1.一种用于减小烃给料的溴指数(BI)的方法,所述方法包括在吸附工艺中使所述烃给料与包括孔径约至的沸石的吸附剂接触,以减小所述烃给料的溴指数(BI)。
2.根据权利要求1所述的方法,进一步包括使所述吸附剂与基本上惰性的气体接触。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,所述基本上惰性的气体是至少约70%体积的氮气,并且与基本上惰性的气体接触促进或实现从其中去除吸附在所述沸石的孔隙中的污染物,所述污染物来自所述烃给料。
4.根据权利要求3所述的方法,其中,从所述沸石的孔隙中去除所述污染物促进或实现所述沸石的再生。
5.根据权利要求3所述的方法,其中,所述基本上惰性的气体是在约150℃至300℃之间的温度下。
6.根据权利要求5所述的方法,其中,所述基本上惰性的气体是在约190℃至200℃之间的温度下。
7.根据权利要求1所述的方法,其中,所述沸石具有约至之间的孔径。
8.根据权利要求7所述的方法,其中,所述沸石包括MFI、MEL、MRE、MTW、EUO、MTT、MFS、AEL、AFP、HEU、FER、TON、和它们的任何组合中的至少一种沸石结构类型。
9.根据权利要求8所述的方法,其中,所述沸石包括至少一种MFI的沸石结构类型。
10.根据权利要求7所述的方法,其中,所述沸石具有约1和150之间的Si/Al。
11.根据权利要求10所述的方法,其中,所述沸石具有2至100之间的Si/Al。
12.根据权利要求1所述的方法,其中,在约25℃至100℃之间的温度下进行所述吸附工艺。
13.根据权利要求12所述的方法,其中,在约25℃至60℃之间的温度下进行所述吸附工艺。
14.根据权利要求12所述的方法,其中,在约1巴至50巴之间的压力下进行所述吸附工艺。
15.根据权利要求14所述的方法,其中,在约20巴至40巴之间的压力下进行所述吸附工艺。
16.根据权利要求14所述的方法,其中,在约0.01hr-1至200hr-1之间的重量时空速度(WHSV)下进行所述吸附工艺。
17.根据权利要求16所述的方法,其中,所述烃给料是芳烃给料,且所述污染物包括不饱和烃。
18.根据权利要求17所述的方法,其中,芳烃给料的溴指数(BI)的减小是在约50%至100%之间。
19.根据权利要求17所述的方法,进一步包括,在所述吸附工艺之后,处理所述芳烃给料以制备所述芳烃给料的衍生物。
20.一种用于减小芳烃的溴指数(BI)的方法,所述方法包括:
提供吸附剂,所述吸附剂包括沸石,所述沸石包括具有约至之间的孔径的孔隙;
使芳烃给料接触所述沸石,所述芳烃给料包括不饱和烃;
在吸附工艺中,在所述沸石的孔隙内吸附至少部分的所述不饱和烃;以及
使惰性气体接触所述沸石,
其中,所述惰性气体促进或实现从其中去除吸附在所述沸石的孔隙中的不饱和烃,从而促进或实现所述沸石的再生。
21.根据权利要求20所述的方法,其中,在约25℃至100℃之间的温度下将至少部分的所述不饱和烃吸附在所述沸石的孔隙内。
22.根据权利要求21所述的方法,其中,在约25℃至60℃之间的温度下将至少部分的所述不饱和烃吸附在所述沸石的孔隙内。
23.根据权利要求20所述的方法,其中,在约20巴至40巴之间的压力下和在约0.01hr-1至200hr-1之间的重量时空速度(WHSV)下将至少部分的所述不饱和烃吸附在所述沸石的孔隙内。
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