[发明专利]用于相变存储器阵列的方法

说明书

技术领域

本发明的实施例处于相变存储器单元的领域中，且特定来说，处于操作相变存储器阵列的方法的领域中。

背景技术

嵌入式SRAM及DRAM在非易失性及软性错误率上存在问题，而嵌入式快闪(FLASH)存储器在制造期间需要额外的掩蔽层或处理步骤、需要用于编程的高电压，且在耐久性及可靠性上尚有争议。相变存储器(PCM)克服上述参数的临界性，且展现有利的写入速度、小单元尺寸、更简单的电路及与互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺的制造兼容性。但是，在PCM技术的演进中仍需额外的改进。

发明内容

附图说明

图1说明表示根据本发明的实施例操作相变存储器阵列的方法中的操作的流程图。

图2说明表示根据本发明的实施例操作相变存储器阵列的方法中的操作的流程图。

图3说明表示根据本发明的实施例操作相变存储器阵列的方法中的操作的流程图。

图4包含根据本发明的实施例随时间而变化的逻辑“1”的编程脉冲振幅及随时间而变化的逻辑“0”的编程脉冲振幅的标绘图。

图5包含根据本发明的实施例随时间而变化的逻辑“1”的单元电流及随时间而变化的逻辑“0”的单元电流的标绘图。

图6说明根据本发明的实施例的相变存储器单元的阵列。

图7说明根据本发明的实施例并入相变存储器单元阵列的无线架构的示意表示。

图8说明根据本发明的实施例的经配置以用于对基于相变存储器阵列的非易失性存储器进行加密或解密或进行加密及解密二者的计算机系统的实例的框图。

图9说明根据本发明的实施例的经配置以用于对基于相变存储器阵列的非易失性存储器进行加密或解密或进行加密及解密二者的存储器架构的实例的框图。

具体实施方式

本文描述操作相变存储器阵列的方法。在下列描述中，提出例如加密做法及解密做法的若干特定细节以提供对本发明的实施例的透彻理解。对于所属领域的技术人员将为显而易见的是，本发明的实施例可在没有这些特定细节的情况下实践。在其它情形中，未详细描述例如材料处理操作的众所周知的处理操作以免不必要地模糊本发明的实施例。此外，应理解，图式中的各种实施例为说明性表示且不必按比例绘制。

本文揭示操作相变存储器阵列的方法。在一个实施例中，一种操作相变存储器阵列的方法包含确定待写入到相变存储器阵列的模式。接着根据所述模式而对所述相变存储器阵列执行两个或两个以上适当复位序列，以将所述模式写入到所述相变存储器阵列。在一个实施例中，一种操作相变存储器阵列的方法包含对所述相变存储器阵列执行置位序列。接着执行所述相变存储器的适当读取以获得从执行所述置位序列而导出的模式。在一个实施例中，一种操作相变存储器阵列的方法包含确定待写入到相变存储器阵列的模式。接着根据所述模式而对所述相变存储器阵列执行两个或两个以上适当复位序列以将所述模式写入到所述相变存储器阵列。接着对所述相变存储器阵列执行置位序列。接着执行所述相变存储器阵列的适当读取以获得从执行所述置位序列而导出的模式。

根据本发明的实施例，描述基于对相变存储器(PCM)装置的复位与置位操作的密码编译方法。此方法可基于区分复位(例如，用硬脉冲或软脉冲隐藏信息)以针对不同置位状态定义适当开始条件(例如，恢复信息)的能力。在实施例中，一旦固定给定置位脉冲，便用不同脉冲振幅复位PCM单元，从而提供更简单或更困难的置位能力。逻辑值可与给定复位振幅相关联。如果接着传送置位，则此逻辑值可切换或可不切换。在实施例中，此做法引起“隐藏的”信息。在发送待隐藏的给定模式给存储器后，可在此情形中使用“假”复位，例如全零写入命令。举例来说，从全零模式开始，在置位脉冲之后，起初读取为0的位中的一些将反转为1，而其它将不反转，因此显露真实数据模式(例如，(b7,..b0)=00000000→10011011)。在所述实例中，位6、位5、位2已经历比位7、位4、位3、位1、位0更困难的复位。在此情形中，10011011为发送到存储器的必须被隐藏的模式。接着，可发送写入全零命令到所述存储器或可在无额外命令的情况下由内部状态机最终执行所述写入全零命令作为请求隐藏模式的结果。此做法提供根据待隐藏的模式的位的逻辑状态的具有合适振幅的复位序列，且在完成所述序列后所述模式成为等于00000000的隐藏模式。