[其他]用于等离子体供给装置的模块和等离子体供给装置

权利要求书

1.用于等离子体供给装置(10，40，60)的模块(11，12，61-76)，所述等离子体供给装置用于在1-1000MHz范围内的频率下以大于500W的功率为等离子体加工或者气体激光器供给等离子体，所述模块具有模块衬底(21，22)，在所述模块衬底上设置有一个或者多个印制导线(23，24)，并且所述模块具有至少一个设置在所述模块(11，12，61-76)上的、与至少一个印制导线(23，24)连接的氮化镓(GaN)半导体开关元件(13-16)。 

2.根据权利要求1所述的模块，其特征在于，在所述模块(11，12，61-76)中或在所述模块(11，12，61-76)上至少部分地设置有在所述GaN半导体开关元件(13-16)后面设置的匹配网络或者振荡电路(41，42)。 

3.根据以上权利要求中任一项所述的模块，其特征在于，在所述模块(11，12，61-76)中或在所述模块(11，12，61-76)上至少部分地设置有在所述GaN半导体开关元件(13-16)前面设置的振荡电路(43)，其中，所述GaN半导体开关元件的栅极电容是所述振荡电路(43)的组成部分。 

4.根据权利要求1或2所述的模块，其特征在于，在所述模块(11，12，61-76)中或在所述模块(11，12，61-76)上设置有至少一个分配给所述GaN半导体开关元件(13-16)的驱动器(17-20)。 

5.根据权利要求1或2所述的模块，其特征在于，设有多个并联的GaN半导体开关元件(13-16)、特别是GaN-HEMT。 

6.根据权利要求1或2所述的模块，其特征在于，在所述模块(11，12，61-76)上设置有由GaN半导体开关元件(13-16)构造的半桥或全桥。 

7.根据权利要求1或2所述的模块，其特征在于，所述GaN半导体开关元件(13-16)是单独控制的。 

8.根据权利要求1或2所述的模块，其特征在于，所述模块是冷却剂冷却的。 

9.根据权利要求1或2所述的模块，其特征在于，设有用于温度监视的装置。 

10.等离子体供给装置(10，40，60)，用于在1-1000MHz范围内的频率下以大于500W的功率供给等离子体，所述等离子体供给装置具有至少一个根据以上权利要求中任一项所述的模块(11，12，61-76)。 

11.根据权利要求10所述的等离子体供给装置，其特征在于，设有开关放大器、特别是D类放大器或者E类放大器，其具有至少一个模块(11，12，61-76)。 

12.根据以上权利要求10或11中任一项所述的等离子体供给装置，其特征在于，设有半桥或全桥，所述半桥或全桥由模块(13-16)构造。 

13.根据权利要求10至11中任一项所述的等离子体供给装置，其特征在于，两个模块(11，12，61-76)借助于3dB耦合器(77-84)耦合。 

14.根据权利要求13所述的等离子体供给装置，其特征在于，级联地设置有多个3dB耦合器(77-90)。