[发明专利]半导体泵浦紫外激光器

权利要求书

1.一种半导体泵浦紫外激光器，其特征在于，其包括有两组泵浦耦合聚焦 系统及一个谐振腔，所述两组泵浦耦合聚焦系统分别位于所述谐振腔的两端， 所述泵浦耦合聚焦系统发出的泵浦光射入所述谐振腔内双端面泵浦所述谐振腔 内的激光工作晶体，所述谐振腔内设有紫外激光输出装置；

所述泵浦耦合聚焦系统包括有泵浦光源、平凸准直镜、平面折反镜及平凸 聚焦镜，所述泵浦光源位于所述平凸准直镜的焦点，所述平凸准直镜位于所述 泵浦光源与所述平面折反镜之间，所述平凸准直镜的光轴与所述平面折反镜的 镜面呈45°夹角，所述平凸聚焦镜的光轴与所述平面折反镜的镜面呈45°夹 角，所述平凸准直镜的光轴与所述平凸聚焦镜的光轴垂直；

所述谐振腔为“U”形或“丌”形平-平腔，所述谐振腔包括有前端平面镜、 后端平面镜、前端斜反镜与后端斜反镜，所述前端平面镜与所述后端平面镜分 别为所述谐振腔的前后腔镜，所述前端平面镜与所述前端斜反镜组成所述谐振 腔的左臂，所述前端平面镜与所述前端斜反镜之间呈45°夹角，所述后端平面 镜与所述后端斜反镜组成所述谐振腔的右臂，所述后端平面镜与所述后端斜反 镜之间呈45°夹角，所述前端斜反镜的法线与所述后端斜反镜的法线垂直；所 述前端斜反镜与所述后端斜反镜之间设有所述激光工作晶体，所述谐振腔左臂 的前端平面镜与前端斜反镜之间设有二倍频晶体与三倍频晶体，所述三倍频晶 体位于靠近所述前端平面镜的一侧，所述谐振腔右臂的后端平面镜与后端斜反 镜之间设有Q开关；所述前端斜反镜位于所述激光工作晶体与所述其中一组泵 浦耦合聚焦系统中的平凸聚焦镜之间，所述后端斜反镜位于所述激光工作晶体 与所述另一组泵浦耦合聚焦系统的平凸聚焦镜之间，且所述两组泵浦耦合聚焦 系统的平凸聚焦镜的焦点均位于所述激光工作晶体的中心处；所述前端平面镜 镀有对基频光、二次谐波光和三次谐波光全反射的膜层，所述后端平面镜镀有 对基频光全反射的膜层，所述前端斜反镜与所述后端斜反镜镀有对基频光高反 射、对泵浦光高透射的膜层；

所述紫外激光输出装置包括有布儒斯特片和用以反射输出紫外激光的紫外 反射镜，所述布儒斯特片位于所述二倍频晶体与所述三倍频晶体之间，所述布 儒斯特片的法线与所述前端平面镜的法线之间形成有一夹角，该夹角为布儒斯 特角；紫外激光透过所述布儒斯特片后射在所述紫外反射镜，由紫外反射镜反 射后输出，剩余的基频光与二次谐波光透过所述布儒斯特片后反射回激光工作 晶体中，继续进行受激辐射放大。

2.如权利要求1所述的半导体泵浦紫外激光器，其特征在于，所述激光工 作晶体为掺钕钒酸钇晶体、掺钕钇铝石榴石晶体、掺钕氟化钇锂晶体、掺钕钒 酸钆晶体、掺镱钇铝石榴石晶体或掺铒钇铝石榴石晶体。

3.如权利要求1所述的半导体泵浦紫外激光器，其特征在于，所述二倍频 晶体为三硼酸锂晶体、六硼酸锂铯晶体或偏硼酸钡晶体，所述三倍频晶体为三 硼酸锂晶体、六硼酸锂铯晶体或偏硼酸钡晶体。