[发明专利]用于堆叠半导体基板的激光接合方法

权利要求书

1.一种用于堆叠半导体基板的激光接合方法，其特征在于其包括以下 步骤：

形成一沟槽于一第一基板中；

形成一接合垫于一包含主动线路的第二基板上，该接合垫的一上表面 包含一第一材料，其中所述的第一材料选自金、银、铝、锡或铅所组成的 族群；

对准该第一基板于该第二基板之上，其中该沟槽对准于该接合垫之上；

沉积一第二材料于该接合垫上的该第一材料以及该沟槽中，其中所述 的第二材料包含硅或锗；以及

导入一激光束于该沟槽之中，使该接合垫上的该第一材料和该第二材 料局部熔融并形成一共金合金，以在该接合垫上的第一材料和该第二材料 之间形成一接合。

2.根据权利要求1所述的用于堆叠半导体基板的激光接合方法，其特 征在于其中由该接合垫上的第一材料和该第一基板上的第二材料之间所形 成的该接合具有导电性。

3.根据权利要求1所述的用于堆叠半导体基板的激光接合方法，其特 征在于更包含在导入该激光束之前，沉积一热吸收材料于该沟槽之上，其中 该热吸收材料包含碳。

4.根据权利要求1所述的用于堆叠半导体基板的激光接合方法，其特 征在于更包含堆叠一第三基板于该第一基板之上，该第三基板经由该沟槽 和该接合垫电性耦接于该第二基板，其中该第三基板包含电路。

5.根据权利要求4所述的用于堆叠半导体基板的激光接合方法，其特 征在于其中所述的电性耦接包含使用导线搭接。

6.根据权利要求1所述的用于堆叠半导体基板的激光接合方法，其特 征在于其中所述的激光束的波长小于约648nm，该激光束相对于该第一基 板的速度大于约100mm/sec，且该激光束没有导入该第一基板的邻近沟槽 间的区域。

7.一种用于堆叠半导体基板的激光接合方法，其特征在于包括以下步 骤：

形成一沟槽于一第一基板中，其中该沟槽没有贯穿该第一基板，该沟 槽的下方形成有该第一基板的一薄层，且该薄层包含硅或锗；

形成一接合垫于一包含主动线路的第二基板上，该接合垫的一上表面 包含一第一材料，其中所述的第一材料选自金、银、铝、锡或铅所组成的 族群；

对准该第一基板于该第二基板之上，其中该沟槽和该薄层对准于该接 合垫之上；以及

导入一激光光束于该沟槽之中，使该薄层与该接合垫上的该第一材料 形成一共金合金，以接合该第一基板和该第二基板。

8.根据权利要求7所述的用于堆叠半导体基板的激光接合方法，其特 征在于，在对准该第一基板于该第二基板之前，更包含掺杂一导电材料至 该沟槽的下表面。

9.一种用于堆叠半导体基板的激光接合方法，其特征在于其包括以下 步骤：

形成一第一排通孔和一第二排通孔于一第一基板内；

形成一第一排接合垫和一第二排接合垫于一包含主动电路的第二基板 上，各该接合垫包含一第一材料，其中所述的第一材料选自金、银、铝、 锡或铅所组成的族群；

对准该第一基板于该第二基板之上，其中该第一排通孔对准于该第一 排接合垫之上，且其中该第二排通孔对准于该第二排接合垫之上；

沉积一第二材料于各该接合垫以及该第一和该第二排通孔之中，其中 所述的第二材料包含硅或锗；以及

导入一激光束于该第一排通孔和该第二排通孔之上，使各该接合垫的 该第一材料和该第二材料局部熔融并形成一共金合金，以在该接合垫的该 第一材料和该第二材料之间形成一导电接合。

10.根据权利要求9所述的用于堆叠半导体基板的激光接合方法，其特 征在于更包含沉积一热吸收材料于该第一和第二排通孔之上，其中在该第 二材料上沉积该热吸收材料的步骤是在导入该激光束之前进行。

11.根据权利要求9所述的用于堆叠半导体基板的激光接合方法，其特 征在于其中所述的激光束的波长小于约648nm，该激光束相对于该第一基 板的速度大于约100mm/sec，且该激光束的点波束宽度约小于该第一排通 孔和该第二排通孔之间的距离。

12.根据权利要求9所述的用于堆叠半导体基板的激光接合方法，其特 征在于其中所述的激光束连续扫描过该第一排通孔之上和该第二排通孔之 上且该激光束没有被导入至该第一基板的相邻通孔间的区域。