[发明专利]使用晶片级封装的光传感器

权利要求书

1.一种集成的光传感器，包括：

具有第一侧和相对的第二侧的半导体晶片；

制造在所述晶片的所述第一侧上的光检测二极管；

定位在所述晶片的所述第二侧上用于将所述晶片连接到印刷电路板的焊料凸起；以及

在所述晶片的所述第一侧和所述第二侧之间的通路，所述通路包括在所述光检测二极管和所述焊料凸起之间导电的金属层。

2.如权利要求1所述的集成的光传感器，其中所述晶片是硅晶片，而所述通路是穿硅通路。

3.如权利要求2所述的集成的光传感器，其中所述穿硅通路是从所述硅晶片的所述第一侧向所述第二侧图形化并深反应离子蚀刻的。

4.如权利要求2所述的集成的光传感器，其中所述穿硅通路是通过从所述硅晶片的所述第二侧向所述第一侧进行深反应离子蚀刻而形成的。

5.如权利要求3所述的集成的光传感器，其中所述穿硅通路是通过从所述硅晶片的所述第二侧向所述第一侧进行湿法蚀刻而形成的。

6.如权利要求3所述的集成的光传感器，其中所述穿硅通路是通过以下步骤制造的两步穿硅通路，所述步骤包括：

使用第一深反应离子蚀刻在所述硅晶片的所述第一侧形成第一通路部分；

使用第二深反应离子蚀刻在所述硅晶片的所述第二侧形成第二通路部分；以及

在所述第一通路部分的第一表面和所述第二通路部分的第二表面上沉积所述通路金属层，所述通路金属层提供所述二极管和所述焊料凸起之间的电连接。

7.如权利要求1所述的集成的光传感器，其中所述硅晶片的所述第一侧通过向所述硅晶片的所述第一侧附着保护衬底或者通过向所述硅晶片的所述第一侧附着保护带而受到保护。

8.如权利要求1所述的集成的光传感器，其中所述硅晶片的所述第一侧具有位于所述二极管之上的光学滤波器层，所述光学层选择性地过滤电磁谱。

9.如权利要求1所述的集成的光传感器，还包括多个二极管，所述多个二极管集成在所述硅晶片上以形成光传感器。

10.一种用于制造集成的光传感器的方法，所述方法包括以下步骤：

在硅晶片的第一侧上制造光检测二极管；

在所述晶片的所述第一侧和第二侧之间形成穿硅通路；

在所述穿硅通路的表面上沉积通路金属层，所述通路金属层提供所述二极管和所述晶片的所述第二侧之间的电连接性；以及

在所述硅晶片的所述第二侧上沉积焊料凸起，所述焊料凸起通过所述通路金属层电耦合到所述二极管。

11.如权利要求10所述的制造光传感器的方法，其中所述穿硅通路是从所述硅晶片的所述第一侧向所述第二侧图形化并深反应离子蚀刻的。

12.如权利要求10所述的制造光传感器的方法，其中所述穿硅通路是通过从所述硅晶片的所述第二侧向所述第一侧进行深反应离子蚀刻而形成的。

13.如权利要求10所述的制造光传感器的方法，其中所述穿硅通路是通过从所述硅晶片的所述第二侧向所述第一侧进行湿法蚀刻而形成的。

14.如权利要求10所述的制造光传感器的方法，其中所述穿硅通路是通过以下步骤制造的两步穿硅通路，所述步骤包括：

使用第一深反应离子蚀刻在所述硅晶片的所述第一侧形成第一通路部分；

使用第二深反应离子蚀刻在所述硅晶片的所述第二侧形成第二通路部分；以及

在所述第一通路部分的第一表面和所述第二通路部分的第二表面上沉积所述通路金属层，所述通路金属层提供所述二极管和所述焊料凸起之间的电连接。

15.如权利要求10所述的制造光传感器的方法，还包括将所述晶片结合到保护衬底或者保护带的步骤。

16.一种集成的半导体器件，包括：

具有第一侧和相对的第二侧的晶片；

制造在所述晶片的所述第一侧上的半导体元件；

定位在所述晶片的所述第二侧上用于将所述晶片连接到板的焊料凸起；以及

在所述晶片的所述第一侧和所述第二侧之间的通路，所述通路包括沉积在所述通路表面上并且在所述半导体元件和所述焊料凸起之间导电的金属层。

17.如权利要求16所述的集成的半导体器件，还包括压力传感器。