[发明专利]半导体装置及其芯片选择方法有效
申请号: | 201010000914.X | 申请日: | 2010-01-20 |
公开(公告)号: | CN102054824A | 公开(公告)日: | 2011-05-11 |
发明(设计)人: | 陈伸显;李锺天 | 申请(专利权)人: | 海力士半导体有限公司 |
主分类号: | H01L25/00 | 分类号: | H01L25/00 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 郭放;黄启行 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 芯片 选择 方法 | ||
1.一种具有多个芯片的半导体装置,包括:
多个锁存单元,所述多个锁存单元中的每一个锁存单元设置于所述多个芯片中的相应的一个芯片内,并且配置为在彼此不同的时间点锁存时钟信号和分频信号,以产生所述多个芯片中的相应的一个芯片的芯片识别信号,其中,通过分频所述时钟信号产生所述分频信号,且经多个穿透硅通孔TSV传输所述时钟信号和所述分频信号;以及
多个芯片选择信号产生单元,所述多个芯片选择信号产生单元中的每一个芯片选择信号产生单元设置于所述多个芯片中的相应的一个芯片内,并且配置为将芯片选择识别信号与所述多个芯片中的相应的一个芯片的芯片识别信号比较,以产生所述多个芯片中的相应的一个芯片的芯片选择信号,
其中,当所述芯片识别信号与所述芯片选择识别信号匹配时,所述芯片选择信号使能所述多个芯片中的相应的一个芯片。
2.如权利要求1所述的半导体装置,其中,所述半导体装置还包括多个脉冲产生单元,所述多个脉冲单元中的每一个脉冲单元设置在所述多个芯片中的相应的一个芯片内,并且配置为串联耦合到接收所述时钟信号的另一个TSV,并产生确定所述多个芯片中的相应的一个芯片的锁存单元的锁存时间点的脉冲。
3.如权利要求1所述的半导体装置,其中,所述芯片选择识别信号是从所述半导体装置外部施加的命令信号。
4.如权利要求1所述的半导体装置,其中,所述芯片选择识别信号经另一个TSV被传输到所述多个芯片选择信号产生单元中的每一个芯片选择信号产生单元。
5.一种用于半导体装置的芯片选择方法,包括步骤:
将时钟信号和分频信号经多个穿透硅通孔TSV传输到多个芯片中的每一个芯片,并且将芯片标识符分配给所述多个芯片中的每一个芯片,其中,通过分频所述时钟信号产生所述分频信号;以及
选择被分配有与芯片选择标识符匹配的芯片标识符的芯片。
6.如权利要求5所述的芯片选择方法,其中,将时钟信号和分频信号经多个穿透硅通孔TSV传输到多个芯片中的每一个芯片的步骤包括:
经所述多个TSV传输所述时钟信号和所述分频信号;以及
在预定的时间点,在所述多个芯片中的每一个芯片中,锁存所述时钟信号和所述分频信号的电平,并且产生所述芯片标识符。
7.如权利要求5所述的芯片选择方法,其中,所述分频信号由分频单元产生,所述分频单元设置于主芯片内并串联耦合到所述主芯片内的TSV。
8.如权利要求6所述的芯片选择方法,其中,锁存所述时钟信号和所述分频信号的电平的步骤包括:在彼此不同的时间点,在所述多个芯片中的每一个芯片中,锁存所述时钟信号和所述分频信号的电平。
9.如权利要求5所述的芯片选择方法,其中,所述芯片选择标识符是从所述半导体装置的外部施加的命令信号。
10.如权利要求5所述的芯片选择方法,其中,所述芯片选择标识符经另一个TSV被传输到所述多个芯片中的每一个芯片。
11.一种半导体装置,包括:
第一TSV,配置为穿透并且耦合第一芯片和第二芯片,并且配置为传输时钟信号;
第二TSV,配置为穿透并耦合所述第一芯片和第二芯片,并且配置为传输通过分频所述时钟信号而产生的分频信号;
第一锁存单元,配置为在第一时间点锁存所述时钟信号和所述分频信号的电平,以产生所述第一芯片的芯片识别信号;
第一芯片选择信号产生单元,配置为当所述第一芯片的芯片识别信号与芯片选择识别信号匹配时,产生第一芯片选择信号;
第二锁存单元,配置为在第二时间点锁存所述时钟信号和所述分频信号的电平,以产生所述第二芯片的芯片识别信号;以及
第二芯片选择信号产生单元,配置为当所述第二芯片的芯片识别信号与所述芯片选择识别信号匹配时,产生第二芯片选择信号。
12.如权利要求11所述的半导体装置,其中,所述第一锁存单元和所述第一芯片选择信号产生单元设置于所述第一芯片内。
13.如权利要求11所述的半导体装置,其中,所述第二锁存单元和所述第二芯片选择信号产生单元设置于所述第二芯片内。
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