[发明专利]离子布植机与调整离子束的方法有效

专利信息
申请号: 201010001016.6 申请日: 2010-01-18
公开(公告)号: CN101901733A 公开(公告)日: 2010-12-01
发明(设计)人: 任克川;杨允儒;万志民 申请(专利权)人: 汉辰科技股份有限公司
主分类号: H01J37/317 分类号: H01J37/317;H01J37/147
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 代理人: 寿宁;张华辉
地址: 中国台湾新竹县新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 离子 布植机 调整 离子束 方法
【权利要求书】:

1.一种离子布植机,其特征在于其包括:

一离子源,该离子源产生一离子束;

一分析磁铁单元,该分析磁铁单元分析该离子束;及

一第一组棒状磁铁,该第一组棒状磁铁调整经该分析磁铁单元分析过的该离子束的形状,该第一组棒状磁铁包含:

一第一棒状磁铁,该第一棒状磁铁包含一第一连续线圈;及

一第二棒状磁铁,该第二棒状磁铁位于与该第一棒状磁铁相距第一预设距离的位置,该第二棒状磁铁包含一第二连续线圈;

其中至少一该棒状磁铁可以在分析后的该离子束通过该第一棒状磁铁与该第二棒状磁铁之间的空间时,施加一多阶磁场于分析后的该离子束。

2.根据权利要求1所述的离子布植机,其特征在于其中所述的多阶磁场由以下至少一因素产生:

至少一该连续线圈中有二或更多部份具有不同的线圈密度;

至少一该连续线圈中有二或更多部份具有不同的宽度;

至少一该连续线圈中有二或更多部份具有不同的导磁系数;

至少一该连续线圈中有二或更多部份由不同的材料构成;及

至少一该连续线圈中有二或更多部份具有不同的方向。

3.根据权利要求1所述的离子布植机,其特征在于其中所述的第一棒状磁铁更包含一第一支撑棒而该第一连续线圈沿该第一支撑棒分布,该第二棒状磁铁更包含一第二支撑棒而该第二连续线圈沿该第二支撑棒分布;其中该多阶磁场由以下至少一因素产生:

至少一该支撑棒中有二或更多部份具有不同的导磁系数;

至少一该支撑棒中有二或更多部份由不同的材料构成;

至少一该支撑棒中有二或更多部份具有不同的方向;及

至少一该支撑棒中有二或更多部份具有不同的宽度。

4.根据权利要求1所述的离子布植机,其特征在于其中所述的多阶磁场由至少一该棒状磁铁所产生,且该棒状磁铁具有以下至少一特征:

该棒状磁铁至少有至少一部分邻近于一导体结构,且至少有至少一部分不邻近于任何导体结构;及

该棒状磁铁的不同部分邻近于不同导体结构,其中该棒状磁铁的一部分与一对应的导体结构具有一对应位置。

5.根据权利要求1所述的离子布植机,其特征在于其更包含分别与该第一连续线圈与该第二连续线圈电性连接的一第一电源与一第二电源,其中该第一电源的运作与该第二电源的运作可以彼此互相独立或彼此相关。

6.一种调整离子布植机中离子束的方法,其特征在于该方法包含:

提供一离子布植机,该离子布植机包含:

一离子源,该离子源产生一离子束;

一分析磁铁单元,该分析磁铁单元分析该离子束;及

一第一组棒状磁铁,该第一组棒状磁铁调整经该分析磁铁单元分析过的该离子束的形状,该第一组棒状磁铁包含:

一第一棒状磁铁,该第一棒状磁铁包含一第一连续线圈;及

一第二棒状磁铁,该第二棒状磁铁位于与该第一棒状磁铁相距第一预设距离的位置,该第二棒状磁铁包含一第二连续线圈;

其中至少一该棒状磁铁,当分析后的该离子束通过该第一棒状磁铁与该第二棒状磁铁之间的空间时可施加一多阶磁场于分析后的该离子束;及

调整该第一组棒状磁铁以调整该多阶磁场。

7.根据权利要求6所述的调整离子布植机中离子束的方法,其特征在于其中更包含以下列方式调整至少一该连续线圈:

调整该连续线圈的线圈密度使其中二或更多部份具有不同的线圈密度;

调整该连续线圈的宽度使其中有二或更多部份具有不同的宽度;

调整该连续线圈的材料使其中有二或更多部份具有不同的导磁系数;

调整该连续线圈的材料使其中有二或更多部份由不同的材料构成;及

调整该连续线圈的结构使其中有二或更多部份具有不同的方向。

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