[发明专利]图案化的方法及集成电路结构

说明书

技术领域

本发明是有关于一种图案化的方法及一种集成电路结构。

背景技术

非挥发性存储器由于具有可多次进行资料的存入、读取、擦除等动作， 且存入的资料在断电后也不会消失的优点，因此，非挥发性存储器被广泛 采用在个人计算机和电子设备等等。

随着非挥发性存储器的集成度的日益提升，非挥发性存储器的尺寸也 必须随之缩小。元件缩小化与集积化是必然的趋势，也是各界积极发展的 重要课题，而其中的关键技术就是光刻工艺。

在光刻工艺中，已知制造线宽或线距低于65纳米，尤其是线宽/线距 (line/space)不超过25/25纳米，以现今的科技来说是相当困难的，除非 使用波长更短的光源以及可配合所用波长的光刻胶。如此一来，厂房很可 能必须付出相当大的成本来更替相配合的新机台。

因此，如何使用现有的机台及工艺来达到缩小线宽/线距至不超过 25/25纳米的目标，已成为业界相当重视的课题之一。

发明内容

本发明提供一种图案化的方法，可以轻易地达到缩小线宽/线距至不 超过25/25纳米的目标。

本发明另提供一种图案化的方法，可将定义出来的图案密度增加四 倍，且缩小间距到其原本长度的四分之一。

本发明提供一种图案化的方法。首先，于目标层上依序形成掩膜层及 多个第一转移图案。接着，对第一转移图案的表面进行第一转换工艺，以 于第一转移图案的表面上形成多个第一转换图案，该第一转换工艺使该多 个第一转移图案的宽度减小。然后，于第一转换图案之间的间隙中填入多 个第二转移图案。之后，移除第一转换图案。继之，对第一转移图案及第 二转移图案的表面进行第二转换工艺，以于第一转移图案及第二转移图案 的表面上形成多个第二转换图案，该第二转换工艺使该多个第一转移图案 和多个第二转移图案的宽度减小。接着，于第二转换图案之间的间隙中填 入多个第三转移图案。然后，移除第二转换图案。之后，以第一转移图案、 第二转移图案及第三转移图案为掩膜，移除部份的掩膜层，以形成图案化 掩膜层。继之，以图案化掩膜层为掩膜，移除部份的目标层。

在本发明的一实施例中，上述的目标层为基底。

在本发明的一实施例中，上述的目标层为包括基底及位于基底上的材 料层的叠层结构。

在本发明的一实施例中，上述的材料层的材料包括多晶硅或金属。

在本发明的一实施例中，上述的材料层、第一转移图案、第二转移图 案及第三转移图案的材料相同或不同。

在本发明的一实施例中，上述的第一转移图案、第二转移图案及第三 转移图案的材料皆包括多晶硅或金属。

在本发明的一实施例中，上述的掩膜层的材料包括四乙氧基硅氧烷形 成的二氧化硅(TEOS-SiO₂)、硼磷硅玻璃(BPSG)、磷硅玻璃(PSG)、氢化硅 倍半转换物(HSQ)、氟硅玻璃(FSG)或无掺杂硅玻璃(USG)。

在本发明的一实施例中，上述的第一转换工艺及第二转换工艺皆包括 氧化工艺、氮化工艺、氮氧化工艺或金属硅化工艺。

在本发明的一实施例中，上述的第一转换图案及第二转换图案的材料 相同或不同。

在本发明的一实施例中，上述的第一转换图案及第二转换图案的材料 包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、金属氧化物、金属氮化物、金属氮氧化 物或金属硅化物。

在本发明的一实施例中，于上述的第一转换图案之间的间隙中填入第 二转移图案的步骤包括先于第一转换图案上形成第一转移层，再移除部份 的第一转移层以露出第一转换图案的顶部。

在本发明的一实施例中，移除部份的第一转移层的步骤包括进行回蚀 刻工艺或化学机械研磨工艺。

在本发明的一实施例中，于上述的第二转换图案之间的间隙中填入第 三转移图案的步骤包括先于第二转换图案上形成第二转移层，再移除部份 的第二转移层以露出第二转换图案的顶部。

在本发明的一实施例中，移除部份的第二转移层的步骤包括进行回蚀 刻工艺或化学机械研磨工艺。

在本发明的一实施例中，移除第一转换图案的步骤及移除第二转换图 案的步骤皆包括进行蚀刻工艺。