[发明专利]自对准金属硅化物的形成方法有效
| 申请号： | 201010002008.3 | 申请日： | 2010-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN102117744A | 公开（公告）日： | 2011-07-06 |
| 发明（设计）人： | 石永昱;王栩 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/768;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 对准 金属硅 形成 方法 | ||
1.一种自对准金属硅化物的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体基底，所述半导体基底表面至少有一硅区域；
对所述硅区域进行离子注入；
去除所述硅区域的自然氧化层；
在所述硅区域形成金属层；
在所述金属层表面形成保护层；
对形成有金属层的半导体基底进行退火，形成金属硅化物层。
2.如权利要求1所述的自对准金属硅化物的形成方法，其特征在于，所述硅区域为源极区的硅区域、漏极区的硅区域或者栅极区的栅多晶层。
3.如权利要求1所述的自对准金属硅化物的形成方法，其特征在于，所述离子注入工艺为砷离子注入。
4.如权利要求3所述的自对准金属硅化物的形成方法，其特征在于，所述离子注入的具体工艺参数为：所述砷离子注入的浓度为1.8E14cm-2至2.2E14cm-2，能量范围为18KeV至22KeV。
5.如权利要求1所述的自对准金属硅化物的形成方法，其特征在于，所述金属层的材料为Ti、Co或者Ni。
6.如权利要求5所述的自对准金属硅化物的形成方法，其特征在于，所述金属层的形成工艺为物理气相沉积工艺。
7.如权利要求1所述的自对准金属硅化物的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料为TiN。
8.如权利要求7所述的自对准金属硅化物的形成方法，其特征在于，所述保护层的形成工艺为物理气相沉积工艺。
9.如权利要求1所述的自对准金属硅化物的形成方法，其特征在于，所述退火工艺具体参数包括：退火温度为700℃至750℃，保护气体为氮气，氮气流量为3升/分钟至5升/分钟，退火时间为15秒至25秒。
10.如权利要求1所述的自对准金属硅化物的形成方法，其特征在于，还包括步骤：去除保护层及未反应的金属层。
11.如权利要求1所述的自对准金属硅化物的形成方法，其特征在于，若金属层材料为Ti，还包括步骤：对所述金属硅化物层再退火。
12.如权利要求11所述的自对准金属硅化物的形成方法，其特征在于，若金属层材料为Ti，对所述金属硅化物层再退火的具体工艺参数为：退火温度为800℃至880℃，保护气体为氮气，氮气流量为3升/分钟至5升/分钟，退火时间为15秒至25秒。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司，未经无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010002008.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
