[发明专利]形成感测电路的方法及其结构

权利要求书

1.一种形成电流感测电路的方法，所述方法包括如下步骤：

提供半导体基底；

在所述半导体基底上形成主晶体管，所述主晶体管具有形成有源极区的源极；

在所述半导体基底上形成感测晶体管，所述感测晶体管具有形成有源极区的源极，所述感测晶体管的栅极耦合到所述主晶体管的栅极，且所述感测晶体管的漏极耦合到所述主晶体管的漏极，其中所述感测晶体管的所述源极区小于所述主晶体管的所述源极区；

在所述半导体基底上形成电阻分压器，所述电阻分压器具有第一电阻器和第二电阻器，所述第一电阻器的第一端子耦合到所述电阻分压器的输入，所述第一电阻器的第二端子耦合到感测节点，所述第二电阻器的第一端子耦合到所述感测节点，且所述电阻分压器的所述输入耦合到所述主晶体管的所述源极；

将所述电阻分压器的所述输入和所述主晶体管的所述源极耦合到所述半导体基底上的第一连接焊盘；

将所述感测晶体管的所述源极耦合到所述半导体基底上的第二连接焊盘；

将所述感测节点耦合到所述半导体基底上的第三连接焊盘；

将所述第二电阻器的第二端子耦合到所述半导体基底上的第四连接焊盘；以及

将所述第一连接焊盘耦合到半导体封装的第一端子，将所述第二连接焊盘耦合到所述半导体封装的第二端子，将所述第三连接焊盘耦合到所述半导体封装的第三端子，并将所述第四连接焊盘耦合到所述半导体封装的第四端子。

2.如权利要求1所述的方法，其中将所述第一连接焊盘耦合到所述半导体封装的所述第一端子的步骤包括：将所述第一端子配置成耦合到公共参考电压，将所述第二端子配置成耦合到放大器的第一输入，将所述第三端子配置成耦合到所述放大器的第二输入，以及将所述第四端子配置成耦合到所述第一端子。

3.一种感测电路，包括：

主晶体管和感测晶体管，所述主晶体管和感测晶体管在半导体基底上形成，所述主晶体管具有带有源极区的源极、栅极和漏极，所述感测晶体管具有源极区小于所述主晶体管的所述源极区的源极、耦合到所述主晶体管的所述栅极的栅极、以及耦合到所述主晶体管的所述漏极的漏极；

电阻分压器，其在所述半导体基底上形成，所述电阻分压器具有输入、感测节点、第一电阻器和第二电阻器，所述电阻分压器的所述输入耦合到所述主晶体管的所述源极，所述第一电阻器具有耦合到所述电阻分压器的所述输入的第一端子和耦合到所述感测节点的第二端子，所述第二电阻器具有第一端子并具有耦合到所述感测节点的第二端子；

第一连接焊盘，其在所述半导体基底上形成并耦合到所述电阻分压器的所述输入，其中所述电阻分压器的所述输入位于所述主晶体管的所述源极和所述第一连接焊盘之间；以及

半导体封装，其连接到所述半导体基底，所述半导体封装具有电耦合到所述第一连接焊盘的第一端子。

4.如权利要求3所述的感测电路，还包括在所述半导体基底上形成并耦合到所述感测晶体管的所述源极的第二连接焊盘、在所述半导体基底上形成并耦合到所述感测节点的第三连接焊盘、以及在所述半导体基底上形成并耦合到所述第二电阻器的所述第一端子的第四连接焊盘；以及

所述半导体封装具有电耦合到所述第二连接焊盘的第二端子、电耦合到所述第三连接焊盘的第三端子、以及电耦合到所述第四连接焊盘的第四端子。

5.如权利要求3所述的感测电路，其中所述电阻分压器的所述输入和所述主晶体管的所述源极之间的距离小于所述第一连接焊盘和所述主晶体管的所述源极之间的距离。

6.如权利要求3所述的感测电路，还包括在所述半导体基底上形成的放大器，所述放大器具有耦合到所述感测节点的第一输入、耦合成从所述感测晶体管的所述源极接收信号的第二输入、以及输出。