[发明专利]过电流保护元件

权利要求书

1.一种过电流保护元件，其特征在于包含：

二金属箔片；以及

一PTC材料层，叠设于该二金属箔片之间，且体积电阻值小于0.1Ω-cm，其包含：

(i)多种结晶性高分子聚合物，其包含至少一种熔点低于115℃的结晶性高分子聚合物；

(ii)一导电镍金属填料，其粒径大小介于0.1μm至15μm之间，体积电阻值小于500μΩ-cm；及

(iii)一非导电氮化金属填料；

其中该导电镍金属填料及非导电氮化金属填料散布于该多种结晶性高分子聚合物之中。

2.根据权利要求1所述的过电流保护元件，其特征在于该PTC材料层的厚度大于0.1mm。

3.根据权利要求1所述的过电流保护元件，其特征在于该PTC材料层的起始电阻值小于10mΩ。

4.根据权利要求1所述的过电流保护元件，其特征在于该PTC材料层可承受小于等于28V的电压。

5.根据权利要求1所述的过电流保护元件，其特征在于该PTC材料层可承受小于等于50安培的电流。

6.根据权利要求1所述的过电流保护元件，其特征在于在过电流保护触发状态下，其表面温度低于100℃。

7.根据权利要求1所述的过电流保护元件，其特征在于电阻再现性比值小于等于3。

8.根据权利要求1所述的过电流保护元件，其特征在于该熔点低于115℃的结晶性高分子聚合物由聚烯烃聚合物所组成。

9.根据权利要求8所述的过电流保护元件，其特征在于该聚烯烃聚合物包括低密度聚乙烯、聚乙烯蜡或乙烯聚合物。

10.根据权利要求1所述的过电流保护元件，其特征在于该具熔点低于115℃的结晶性高分子聚合物为烯烃单体与压克力单体的共聚合物。

11.根据权利要求10所述的过电流保护元件，其特征在于该压克力单体包括压克力酸或压克力酯。

12.根据权利要求1所述的过电流保护元件，其特征在于该具熔点低于115℃的结晶性高分子聚合物包含由烯烃单体与乙烯醇单体的共聚合物。

13.根据权利要求12所述的过电流保护元件，其特征在于该烯烃单体与乙烯醇单体的共聚合物包含乙烯-乙烯醇共聚合物。

14.根据权利要求1所述的过电流保护元件，其特征在于该非导电氮化金属填料包括氮化铝、氮化硼或氮化硅。

15.根据权利要求1所述的过电流保护元件，其特征在于该非导电氮化金属填料外型包含破碎状、多角型、球形或片状。

16.根据权利要求1所述的过电流保护元件，其特征在于该非导电氮化金属填料的粒径大小介于0.1μm至30μm之间。

17.根据权利要求1所述的过电流保护元件，其特征在于该非导电氮化金属填料的重量百分比介于1％至30％之间。

18.根据权利要求1所述的过电流保护元件，其特征在于该二金属箔片含瘤状突出的粗糙表面与该PTC材料层直接物理性接触。

19.根据权利要求1所述的过电流保护元件，其特征在于还包含二金属电极片，该二金属电极片分别连接该二金属箔片。

20.根据权利要求1所述的过电流保护元件，其特征在于该PTC材料层的面积小于50mm²。

21.根据权利要求1所述的过电流保护元件，其特征在于该PTC材料层于80℃产生触发。