[发明专利]薄膜晶体管、其制备方法和包括它的平板显示装置有效
| 申请号： | 201010002378.7 | 申请日： | 2010-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN101794819A | 公开（公告）日： | 2010-08-04 |
| 发明（设计）人： | 河载兴;李钟赫;宋英宇;崔千基 | 申请（专利权）人： | 三星移动显示器株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L27/32;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 王琦;王珍仙 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制备 方法 包括 平板 显示装置 | ||
1.一种薄膜晶体管，包括：
基板；
形成在所述基板上的栅极；
活化层，所述活化层形成在所述栅极上，通过栅绝缘膜与所述栅极绝缘， 并由含氧的化合物半导体形成；
形成在所述活化层上的钝化层；和
源极和漏极，所述源极和漏极形成为与所述活化层接触，
其中所述钝化层包括钛的氧化物（TiOx）；且
所述活化层包括沟道区、源区和漏区，
其中所述钝化层形成为仅覆盖所述活化层的沟道区，且所述源极和漏极分 别连接所述活化层的源区和漏区；
所述源极和漏极分别直接位于所述活化层的所述源区和漏区上；
其中所述钝化层通过使用金属靶的直流反应溅射法形成。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述化合物半导体包括氧化锌 （ZnO）。
3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其中所述化合物半导体掺杂有选自由 镓（Ga）、铟（In）、锡（Sn）、锆（Zr）、铪（Hf）和钒（V）组成的组中的至 少一种的离子。
4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，进一步包括：
形成在所述基板和所述栅极之间的缓冲层。
5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述化合物半导体包括ZnO、 ZnGaO、ZnInO、ZnSnO和GaInZnO中的至少一种。
6.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中TiOx中x的范围为0.3至3.0。
7.一种薄膜晶体管，包括：
基板；
形成在所述基板上的栅极；
活化层，所述活化层形成在所述栅极上，通过栅绝缘膜与所述栅极绝缘， 并由含氧的化合物半导体形成；
形成在所述活化层上的钝化层；和
源极和漏极，所述源极和漏极形成为与所述活化层接触，
其中所述钝化层包括钛的氮氧化物（TiOxNy）；且
所述活化层包括沟道区、源区和漏区，
其中所述钝化层形成为仅覆盖所述活化层的沟道区，且所述源极和漏极分 别连接所述活化层的源区和漏区；
所述源极和漏极分别直接位于所述活化层的所述源区和漏区上；
其中所述钝化层通过使用金属靶的直流反应溅射法形成。
8.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其中TiOxNy中x的范围为0.3至3.0， 且TiOxNy中y的范围为0.3至5.0。
9.一种制备薄膜晶体管的方法，包括：
在基板上形成栅极；
在所述基板上形成栅绝缘膜以覆盖所述栅极；
在所述栅绝缘膜上形成活化层，所述活化层由含氧的化合物半导体形成；
在所述活化层上通过使用金属靶的直流反应溅射法形成包括钛的氧化物 （TiOx）的钝化层；和
形成源极和漏极以接触所述活化层；
其中所述活化层包括沟道区、源区和漏区，且所述方法进一步包括：
图形化所述钝化层以仅保留在所述活化层的沟道区上；
所述源极和漏极分别直接位于所述活化层的所述源区和漏区上。
10.如权利要求9所述的制备薄膜晶体管的方法，其中所述化合物半导体 包括氧化锌（ZnO）。
11.如权利要求10所述的制备薄膜晶体管的方法，其中所述化合物半导体 掺杂有选自由镓（Ga）、铟（In）、锡（Sn）、锆（Zr）、铪（Hf）和钒（V）组 成的组中的至少一种的离子。
12.如权利要求9所述的制备薄膜晶体管的方法，其中形成所述源极和漏 极包括将所述钝化层用作蚀刻终止层。
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