[发明专利]晶片级发光二极管封装结构及其制作方法

权利要求书

1.一种晶片级发光二极管封装结构，其特征在于，包括：

一发光单元，其具有一基板本体、一设置在该基板本体上的发光本体、一成形于该发光本体上的正极导电层、一成形于该发光本体上的负极导电层、及一成形于该发光本体内的发光区域；

一反射单元，其具有一成形于该正极导电层及该负极导电层之间并且成形于该基板本体上以包围该发光本体外侧的反射层；

一第一导电单元，其具有一成形于该正极导电层上的第一正极导电层及一成形于该负极导电层上的第一负极导电层；以及

一第二导电单元，其具有一成形于该第一正极导电层上的第二正极导电结构及一成形于该第一负极导电层上的第二负极导电结构。

2.如权利要求1所述的晶片级发光二极管封装结构，其特征在于：该基板本体为一氧化铝基板，并且该发光本体具有一成形于该氧化铝基板上的氮化镓负电极层及一成形于该氮化镓负电极层上的氮化镓正电极层，此外该正极导电层成形于该氮化镓正电极层上，该负极导电层成形于该氮化镓负电极层上，另外该反射层的一部分成形于该氮化镓负电极层的部分上表面上及该氮化镓正电极层的部分上表面上并且位于该正极导电层与该负极导电层之间。

3.如权利要求1所述的晶片级发光二极管封装结构，其特征在于：该正极导电层的上表面具有一正极导电区域，该负极导电层的上表面具有一负极导电区域，并且该反射层的一部分覆盖于该正极导电层的一部分正极导电区域上及该负极导电层的一部分负极导电区域上。

4.如权利要求3所述的晶片级发光二极管封装结构，其特征在于：该第一正极导电层与该第一负极导电层彼此绝缘，并且该第一正极导电层成形于其余的正极导电区域上及一部分反射层上，该第一负极导电层成形于其余的负极导电区域及一部分反射层上。

5.如权利要求1所述的晶片级发光二极管封装结构，其特征在于：该反射层为一通过等离子体而成形的分布式布拉格反射层。

6.如权利要求1所述的晶片级发光二极管封装结构，其特征在于：该第二正极导电结构由至少两层导电金属层通过电镀的方式相互堆栈所组成，并且该第二负极导电结构由至少两层导电金属层通过电镀的方式相互堆栈所组成；其中上述至少两层导电金属层为一镍层及一金层或锡层，并且该金层或锡层成形于该镍层上。

7.如权利要求1所述的晶片级发光二极管封装结构，其特征在于：该第二正极导电结构由至少三层导电金属层通过电镀的方式相互堆栈所组成，并且该第二负极导电结构由至少三层导电金属层通过电镀的方式相互堆栈所组成；其中上述至少三层导电金属层为一铜层、一镍层及一金层或锡层，该镍层成形于该铜层上，并且该金层或锡层成形于该镍层上。

8.如权利要求1所述的晶片级发光二极管封装结构，其特征在于，该封装结构还包括：一成形于该发光单元底部的荧光层或一成形于该发光单元底部及周围的荧光层。

9.一种晶片级发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于，包括下列步骤：

提供一具有多个发光单元的晶片，其中每一个发光单元具有一基板本体、一设置在该基板本体上的发光本体、一成形于该发光本体上的正极导电层、一成形于该发光本体上的负极导电层、及一成形于该发光本体内的发光区域；

切除该发光本体的一部分，以露出该基板本体上表面的外围区域；

成形一反射层，其位于该正极导电层及该负极导电层之间并且位于该基板本体的外围区域上以包围该发光本体的外侧并露出该正极导电层及该负极导电层；

于所述多个发光单元上分别成形多个第一导电单元，其中每一个第一导电单元具有一成形于每一个正极导电层上的第一正极导电层及一成形于每一个负极导电层上的第一负极导电层；以及

于所述多个第一导电单元上分别成形多个第二导电单元，其中每一个第二导电单元具有一成形于每一个第一正极导电层上的第二正极导电结构及一成形于每一个第一负极导电层上的第二负极导电结构。

10.如权利要求9所述的晶片级发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于：该基板本体为一氧化铝基板，并且该发光本体具有一成形于该氧化铝基板上的氮化镓负电极层及一成形于该氮化镓负电极层上的氮化镓正电极层，此外该正极导电层成形于该氮化镓正电极层上，该负极导电层成形于该氮化镓负电极层上，另外该反射层的一部分成形于该氮化镓负电极层的部分上表面上及该氮化镓正电极层的部分上表面上并且位于该正极导电层与该负极导电层之间。