[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

绝缘表面上的栅电极；

至少包含锌和SiO_x的氧化物半导体层；以及

所述栅电极和所述氧化物半导体层之间的绝缘层，

其中，所述氧化物半导体层通过使用包含0.1wt%以上且10wt%以下的 SiO₂的氧化物半导体靶材的溅射法形成，

其中，所述氧化物半导体层的膜厚度方向上的硅浓度具有随着离所述 栅电极的距离的增加而逐渐增加的梯度。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体层的膜 厚度方向上的硅浓度分阶段地变化。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体层的膜 厚度方向上的硅浓度连续地变化。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体层包含 铟。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体层包含 镓。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体层是单 层。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体层是叠 层。

8.一种半导体装置，包括：

绝缘表面上的栅电极；

所述栅电极上的绝缘层；

所述绝缘层上的第一氧化物半导体层；

所述第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层，所述第二氧化物 半导体层至少包含锌和SiO_x；以及

所述第二氧化物半导体层上的源电极和漏电极，

其中所述第二氧化物导体层包括所述源电极和所述漏电极之间的凹 部，以及

其中，所述第二氧化物半导体层的硅浓度高于所述第一氧化物半导体 层的硅浓度。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中所述第一氧化物半导体层 或所述第二氧化物半导体层包含铟。

10.根据权利要求8所述的半导体装置，其中所述第一氧化物半导体 层或所述第二氧化物半导体层包含镓。

11.根据权利要求8所述的半导体装置，其中所述第一氧化物半导体 层或所述第二氧化物半导体层通过使用包含0.1wt%以上且10wt%以下的 SiO₂的氧化物半导体靶材的溅射法形成。

12.一种半导体装置，包括：

绝缘表面上的第一氧化物半导体层，所述第一氧化物半导体层至少包 含锌和SiO_x；

所述第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层；

所述第二氧化物半导体层上的绝缘层；以及

所述绝缘层上的栅电极，

其中，所述第一氧化物半导体层或所述第二氧化物半导体层通过使用 包含0.1wt%以上且10wt%以下的SiO₂的氧化物半导体靶材的溅射法形成

其中，所述第一氧化物半导体层的硅浓度高于所述第二氧化物半导体 层的硅浓度。

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中所述第一氧化物半导体 层或所述第二氧化物半导体层包含铟。

14.根据权利要求12所述的半导体装置，其中所述第一氧化物半导体 层或所述第二氧化物半导体层包含镓。

15.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

在绝缘表面上形成栅电极；

在所述栅电极上形成绝缘层；

并且通过使用第一氧化物半导体靶材的溅射法，然后通过使用包含 0.1wt%以上且10wt%以下的SiO₂的第二氧化物半导体靶材的溅射法，而在 所述绝缘层上形成氧化物半导体层，该氧化物半导体层的膜厚度方向上的 硅浓度随着离所述栅电极的距离的增加而逐渐增加。

16.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

通过使用包含0.1wt%以上且10wt%以下的SiO₂的第一氧化物半导体 靶材的溅射法，然后通过使用第二氧化物半导体靶材的溅射法，而在绝缘 表面上形成氧化物半导体层，该氧化物半导体层的膜厚度方向上的硅具有 浓度梯度；

形成覆盖所述氧化物半导体层的绝缘层；

并且在所述绝缘层上形成栅电极，

其中，所述氧化物半导体层的膜厚度方向上的硅浓度随着离所述栅电 极的距离的增加而逐渐增加。