[发明专利]平面天线及通信装置无效
申请号: | 201010002947.8 | 申请日: | 2010-01-05 |
公开(公告)号: | CN102117957A | 公开(公告)日: | 2011-07-06 |
发明(设计)人: | 黄麒成;吴政勋;李全镒;郑伟哲 | 申请(专利权)人: | 英华达股份有限公司 |
主分类号: | H01Q1/36 | 分类号: | H01Q1/36;H01Q1/38;H01Q1/24 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陈亮 |
地址: | 中国台湾台北*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 平面 天线 通信 装置 | ||
1.一种平面天线,包含:
一低频辐射部,能于一低频频带产生响应;
一第一高频幅射部,与该低频辐射部电性连接,具有至少一第一凹槽,能于一第一高频频带产生响应;以及
一第二高频幅射部,与该低频辐射部电性连接,具有至少一第二凹槽,能于一第二高频频带产生响应。
2.如权利要求1所述的平面天线,其特征在于,该第一高频幅射部搭配该第一凹槽,形成一第一形状,该第一形状用以改变该第一高频幅射部的一电流路径。
3.如权利要求2所述的平面天线,其特征在于,该第一高频频带依据该电流路径的变化以改变对应的一频率范围。
4.如权利要求2所述的平面天线,其特征在于,该第一形状更用以改变该第一高频幅射部的一幅射波场型。
5.如权利要求2所述的平面天线,其特征在于,该第一形状为一S型形状。
6.如权利要求1所述的平面天线,其特征在于,该第二高频幅射部搭配该第二凹槽,形成一第二形状,该第二形状用以改变该第二高频幅射部的一电流路径。
7.如权利要求6所述的平面天线,其特征在于,该第二高频频带依据该电流路径的变化以改变对应的一频率范围。
8.如权利要求6所述的平面天线,其特征在于,该第二形状更用以改变该第二高频幅射部的一幅射波场型。
9.如权利要求6所述的平面天线,其特征在于,该第二形状为一环型形状。
10.如权利要求1所述的平面天线,其特征在于,该第一高频幅射部的幅射波场型以及该第二高频幅射部的幅射波场型,皆近似于一圆极化天线的幅射波场型。
11.如权利要求1所述的平面天线,其特征在于,该低频辐射部包含一延伸区域以及一低频辐射区域。
12.如权利要求1所述的平面天线,其特征在于,还包含一寄生部,与该低频辐射部、该第一高频辐射部以及该第二高频辐射部电性连接,用以产生电容效应。
13.如权利要求12所述的平面天线,其特征在于,该寄生部能于一第三高频频带产生响应。
14.一种通信装置,其特征在于,包含:
一电路基板;以及
一平面天线,设置于该电路基板上,且该平面天线包含:
一低频辐射部,能于一低频频带产生响应;
一第一高频幅射部,与该低频辐射部电性连接,具有至少一第一凹槽,能于一第一高频频带产生响应;以及
一第二高频幅射部,与该低频辐射部电性连接,具有至少一第二凹槽,能于一第二高频频带产生响应。
15.如权利要求14所述的通信装置,其特征在于,该第一高频幅射部搭配该第一凹槽,形成一第一形状,该第一形状用以改变该第一高频幅射部的一电流路径。
16.如权利要求15所述的通信装置,其特征在于,该第一高频频带依据该电流路径的变化以改变对应的一频率范围。
17.如权利要求15所述的通信装置,其特征在于,该第一形状更用以改变该第一高频幅射部的一幅射波场型。
18.如权利要求15所述的通信装置,其特征在于,该第一形状为一S型形状。
19.如权利要求14所述的通信装置,其特征在于,该第二高频幅射部搭配该第二凹槽,形成一第二形状,该第二形状用以改变该第二高频幅射部的一电流路径。
20.如权利要求19所述的通信装置,其特征在于,该第二高频频带依据该电流路径的变化以改变对应的一频率范围。
21.如权利要求19所述的通信装置,其特征在于,该第二形状更用以改变该第二高频幅射部的一幅射波场型。
22.如权利要求19所述的通信装置,其特征在于,该第二形状为一环型形状。
23.如权利要求14所述的通信装置,其特征在于,该第一高频幅射部的幅射波场型以及该第二高频幅射部的幅射波场型,皆近似于一圆极化天线的幅射波场型。
24.如权利要求14所述的通信装置,其特征在于,该低频辐射部包含一延伸区域以及一低频辐射区域。
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