[发明专利]集成电路晶圆级测试方法、半导体装置测试系统及其方法有效
申请号: | 201010003185.3 | 申请日: | 2010-01-14 |
公开(公告)号: | CN101996912A | 公开(公告)日: | 2011-03-30 |
发明(设计)人: | 洪宗扬;王明义 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01R31/28 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 陈红 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 晶圆级 测试 方法 半导体 装置 系统 及其 | ||
1.一种晶圆级测试方法,其特征在于,包含:
提供一晶圆,该晶圆具有一集成电路形成于其上;
施加一信号使该集成电路作动,该信号包含多个增加步级或减少步级,且该些增加步级或减少步级的范围介于一第一位准和一第二位准间;以及
在施加该信号后,判定该集成电路是否遵守一测试准则。
2.根据权利要求1所述的晶圆级测试方法,其特征在于,该些增加步级包含一步级电压或一步级电流,该步级电压是由一第一电压位准增加至一第二电压位准,该步级电流是由一第一电流位准增加至一第二电流位准,该些减少步级包含该步级电压或该步级电流,该步级电压是由该第二电压位准减少至该第一电压位准,该步级电流是由该第二电流位准减少至该第一电流位准。
3.根据权利要求2所述的晶圆级测试方法,其特征在于,该步级电压或该步级电流对应于一阻尼震荡电压,该阻尼震荡电压用以与该集成电路的一等效射频电路耦接。
4.根据权利要求1所述的晶圆级测试方法,其特征在于,该测试准则是一动态电压压力测试、一电力循环测试、一通路测试或一功能测试。
5.根据权利要求4所述的晶圆级测试方法,其特征在于,在该动态电压压力测试中,该第一电压位准为约0伏特,该第二电压位准为超出该集成电路的一正常操作电压,该第一电流位准为约0毫安,且该第二电流位准为超出该集成电路的一正常操作电流。
6.根据权利要求4所述的晶圆级测试方法,其特征在于,在该电力循环测试中,该第一电压位准为约0伏特,该第二电压位准约等于该集成电路的一正常操作电压,该第一电流位准为约0毫安,且该第二电流位准为超出该集成电路的一正常操作电流。
7.根据权利要求1所述的晶圆级测试方法,其特征在于,该施加该信号包含施加该信号多个周期,以进行一第一测试,并在该第一测试后,另施加该信号多个周期,以进行一第二测试,借此判定该集成电路是否遵守该测试准则。
8.根据权利要求7所述的晶圆级测试方法,其特征在于,该第二测试的周期数大于该第一测试的周期数。
9.根据权利要求1所述的晶圆级测试方法,其特征在于,该集成电路包含一电感性元件及一电容性元件。
10.一种半导体装置测试系统,其特征在于,包含:
一信号产生器,用以产生一信号,该信号包含多个增加步级或减少步级,且该些增加步级或减少步级的范围介于一第一位准和一第二位准间;
一耦合器,用以耦接该信号产生器及一集成电路,该集成电路形成于一晶圆上;以及
一模块,用以在该信号被施加于该集成电路后,判定该集成电路是否遵守一测试准则。
11.根据权利要求10所述的半导体装置测试系统,其特征在于,该些增加步级包含一步级电压或一步级电流,该步级电压是由一第一电压位准增加至一第二电压位准,该步级电流是由一第一电流位准增加至一第二电流位准,该些减少步级包含该步级电压或该步级电流,该步级电压是由该第二电压位准减少至该第一电压位准,该步级电流是由该第二电流位准减少至该第一电流位准。
12.根据权利要求11所述的半导体装置测试系统,其特征在于,该步级电压或该步级电流对应于一阻尼震荡电压,该阻尼震荡电压用以与该集成电路的一等效射频电路耦接。
13.根据权利要求10所述的半导体装置测试系统,其特征在于,该信号产生器用以产生该信号多个周期,以进行一第一测试;
其中,该信号产生器另产生该信号多个周期,以进行一第二测试;以及
其中,在该第一测试和该第二测试中,该模块判定该集成电路是否遵守该测试准则。
14.根据权利要求10所述的半导体装置测试系统,其特征在于,该测试准则是一动态电压压力测试、一电力循环测试、一通路测试或一功能测试。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010003185.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:车载制氢筒的上下车及地面移动装置
- 下一篇:简易垃圾桶
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造