[发明专利]显示装置及该装置的制造方法无效
申请号: | 201010003216.5 | 申请日: | 2004-12-01 |
公开(公告)号: | CN101789441A | 公开(公告)日: | 2010-07-28 |
发明(设计)人: | 郑载勋;金勋;崔埈厚 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L23/31 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 李昕巍 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 装置 制造 方法 | ||
1.一种用于显示图像的显示装置,包括:
衬底;
显示元件,设置于该衬底上以产生用于显示图像的红光、绿光和蓝光;
多个第一阻挡层,形成在该发光元件上以防止氧或湿气渗透进所述第一阻挡层;以及
多个吸收层,与显示元件上的第一阻挡层交替设置以吸收通过所述第一阻挡层的一部分氧或湿气。
2.根据权利要求1的显示装置,其中所述吸收层通过与通过所述第一阻挡层的一部分氧或湿气反应而形成氧化物或氢氧化物。
3.一种制造显示装置的方法,包括:
在衬底上形成用于产生光的显示元件;
在该显示元件上形成吸收层以吸收渗透到该吸收层中的氧或湿气;及
形成第一阻挡层以防止所述氧或湿气渗透进吸收层上的所述第一阻挡层。
4.根据权利要求3的方法,其中所述吸收层被形成为通过与所述氧或湿气反应形成来形成氧化物或氢氧化物。
5.根据权利要求3的方法,其中形成显示元件包括:
使用透明的导电材料在该衬底上形成第一电极;
在该第一电极上形成有机发光层;以及
使用不透明的导电材料在所述有机发光层上形成第二电极。
6.根据权利要求3的方法,其中形成显示元件包括:
使用不透明的导电材料在该衬底上形成第一电极;
在该第一电极上形成有机发光层;以及
使用透明的导电材料在所述有机发光层上形成第二电极。
7.根据权利要求3的方法,其中使用钙、钡、镁、铝、氧化钙、氧化钡、氧化镁、氧化铝或它们的结合中的至少一种形成所述吸收层。
8.根据权利要求3的方法,其中使用二氧化硅、氮化硅、氧化镁、氧化铝、氮化铝、氧化钛以及它们的结合中的至少一种形成所述第一阻挡层。
9.根据权利要求3的方法,其中使用聚乙炔族、聚酰亚铵族或它们的结合中的至少一种形成所述第一阻挡层。
10.根据权利要求3的方法,进一步包括在所述显示元件和所述吸收层之间形成第二阻挡层。
11.根据权利要求10的方法,其中使用从由二氧化硅、氮化硅、氧化镁、氧化铝、氮化铝和氧化钛构成的组中选出的任何一种形成该第二阻挡层。
12.根据权利要求10的方法,其中使用聚乙炔族、聚酰亚铵或它们的结合中的至少一种形成所述第二阻挡层。
13.根据权利要求10的方法,其中使用钙、钡、镁、铝、氧化钙、氧化钡、氧化镁、氧化铝或它们的结合中的至少一种形成所述吸收层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的