[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法有效

专利信息
申请号: 201010003340.1 申请日: 2010-01-21
公开(公告)号: CN101794765A 公开(公告)日: 2010-08-04
发明(设计)人: 原田惠充;村井诚;田中孝征;中村卓矢 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: H01L25/00 分类号: H01L25/00;H01L21/50
代理公司: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 代理人: 柳春雷;南霆
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 以及 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,包括:

在第一主表面上形成有布线图案的被安装体;

半导体芯片,该半导体芯片安装在所述被安装体的形成有所述布线图 案的表面上;以及

底充胶材料,该底充胶材料被填充在所述被安装体和所述半导体芯片 之间,并在所述半导体芯片的外围部形成填角,

其中,在所述被安装体上的、界定安装所述半导体芯片的芯片安装区 域的四个边部中的下述边部的外侧,形成将所述底充胶材料引导至所述被 安装体和所述半导体芯片之间的导入部,其中所述边部是所述填角被形成 为最长的所述芯片安装区域的边部。

2.如权利要求1所述的半导体装置,其中,

所述导入部以与所述填角被形成为最长的所述芯片安装区域的边部连 接或交叉的状态形成。

3.如权利要求2所述的半导体装置,其中,

所述布线图案与所述填角被形成为最长的所述芯片安装区域的边部平 行地形成在该边部的外侧,并且

所述导入部沿所述布线图案的布线方向以与所述芯片安装区域的边部 的一部分连接或交叉的状态形成。

4.如权利要求3所述的半导体装置,其中,

所述导入部以与所述布线图案的布线方向交叉的走向形成为狭缝状。

5.如权利要求4所述的半导体装置,其中,

在所述布线图案的布线方向上错开位置形成了多个所述狭缝状的导入 部。

6.如权利要求1、2或3所述的半导体装置,其中,

所述导入部朝着所述填角被形成为最长的所述芯片安装区域的边部被 形成为直线状。

7.如权利要求1、2或3所述的半导体装置,其中,

所述导入部朝着所述填角被形成为最长的所述芯片安装区域的边部被 形成为折扇状。

8.如权利要求1、2或3所述的半导体装置,其中,

所述导入部朝着所述填角被形成为最长的所述芯片安装区域的边部被 形成为锥形状。

9.如权利要求2所述的半导体装置,其中,

所述布线图案与所述填角被形成为最长的所述芯片安装区域的边部平 行地形成在该边部的外侧,并且

所述导入部沿所述布线图案的布线方向以与所述芯片安装区域的整个 边部连接或交叉的状态形成。

10.一种半导体装置的制造方法,包括:

将在第一主表面上形成有布线图案的半导体芯片安装在被安装体上的 安装工序;以及

通过在所述被安装体和所述半导体芯片之间填充底充胶材料来在所述 半导体芯片的外围部形成填角的填充工序,

其中,在所述安装工序前,在所述被安装体上的、在界定安装所述半 导体芯片的芯片安装区域的四个边部中最靠近被供应底充胶材料的供应区 域的边部的外侧形成导入部,在所述填充工序中,利用所述导入部将所述 底充胶材料引导到所述被安装体和所述半导体芯片之间。

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