[发明专利]用于抛光半导体衬底的边缘的设备无效
申请号: | 201010003394.8 | 申请日: | 2010-01-19 |
公开(公告)号: | CN101791780A | 公开(公告)日: | 2010-08-04 |
发明(设计)人: | 沃尔特·施瓦岑贝格;塞巴斯蒂安·凯尔迪勒;阿齐兹·哈拉米-艾蒂里斯 | 申请(专利权)人: | 硅绝缘体技术有限公司 |
主分类号: | B24B29/02 | 分类号: | B24B29/02;B24B41/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 党晓林 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 抛光 半导体 衬底 边缘 设备 | ||
1.一种用于抛光半导体衬底的边缘的设备,所述半导体衬底包括由基于离子注入步骤、结合步骤以及分离步骤的层转移工艺所产生的、在所述衬底的外围区域中的突出的残留形貌,所述设备包括:
用于容纳所述半导体衬底的衬底保持器,和
抛光垫,
其中,所述抛光垫被布置并且构造成使得在与所述衬底保持器的表面垂直的平面中的所述抛光垫的横截面是弯曲的。
2.根据权利要求1所述的设备,其中,所述抛光垫附接到垫保持器,所述垫保持器被布置并且构造成使得在与所述衬底保持器的所述表面垂直的所述平面中的所述垫保持器的横截面是弯曲的。
3.根据权利要求1或2所述的设备,其中,所述抛光垫和/或所述垫保持器的所述横截面包括凹形部分。
4.根据权利要求3所述的设备,其中,所述凹形对应于所述半导体衬底的所希望的形状,特别是对应于不具有突出的形貌的边缘区域的形状。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的设备,其中,所述抛光垫和/或所述垫保持器的所述横截面具有至少一个凸形部分。
6.根据权利要求3至5中的一项所述的设备,其中,所述抛光垫和/或所述垫保持器的所述横截面具有定位在两个凸形部分之间的所述凹形部分。
7.根据权利要求3至6中的一项所述的设备,其中,所述抛光垫和/或所述垫保持器的所述横截面具有定位在凸形部分和/或凹形部分之间的至少一个平面部分。
8.根据权利要求1至7中的一项所述的设备,其中,所述抛光垫和/或所述垫保持器横向延伸至少1.5mm,优选地延伸至少3mm。
9.根据权利要求1至8中的一项所述的设备,其中,所述抛光垫和/或所述垫保持器在与所述衬底保持器的所述表面平行的平面中是至少一段以上的环形。
10.根据权利要求9所述的设备,其中,所述抛光垫和/或所述垫保持器由多个段形成。
11.根据权利要求1至10中的一项所述的设备,该设备还包括控制单元,所述控制单元构造成使所述抛光垫和/或所述垫保持器垂直于所述衬底保持器的所述表面移动。
12.根据权利要求1至11中的一项所述的设备,其中,所述控制单元构造成使所述抛光垫和/或所述垫保持器在与所述衬底保持器的所述表面平行的平面中移动。
13.用于在根据权利要求1至12中的一项所述的设备中使用的垫保持器,其中,构造成容纳抛光垫的所述表面具有弯曲表面。
14.用于再生半导体衬底的表面的方法,其中所述半导体衬底包括由基于离子注入步骤、结合步骤以及分层步骤的层转移工艺所产生的、在所述衬底的外围区域中的突出的残留形貌,所述方法包括以下步骤:
利用根据权利要求1至12中的一项所述的设备来抛光所述表面。
15.根据权利要求14所述的方法,其中,在抛光期间,除去所述形貌的更多的突出部分。
16.根据权利要求14或15所述的方法,该方法还包括脱氧步骤,以除去存在于所述突出的形貌上的所有氧化物。
17.根据权利要求14至16中的一项所述的方法,该方法还包括边缘抛光步骤。
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