[发明专利]等离子蚀刻方法、等离子蚀刻装置及计算机存储介质

权利要求书

1.一种等离子蚀刻方法，该方法使用等离子蚀刻装置，该 等离子蚀刻装置包括配置在处理室内且载置基板的下部电极、 与上述下部电极相对地配置在上述处理室内的上部电极、用于 向上述处理室内供给处理气体的处理气体供给机构、用于对上 述下部电极施加高频电力的高频电源，

使用该等离子蚀刻装置将形成于上述基板上的ArF光致抗 蚀剂作为掩模，利用上述处理气体的等离子体对位于上述ArF 光致抗蚀剂的下层的、含有Si的防反射膜进行蚀刻，

该等离子蚀刻方法的特征在于，

作为上述处理气体，使用含有CF类气体、CHF类气体、 CF₃I气体、氧气的混合气体，或者CF类气体、CF₃I气体、氧 气的混合气体，或者CHF类气体、CF₃I气体、氧气的混合气体， 而且，在直流电压值为-1000V～-300V的范围内对上述上部 电极施加直流电压；

并且，对上述下部电极施加电力值为100W～300W的偏压 用的高频电力，从而抑制上述ArF光致抗蚀剂的损伤并蚀刻上 述防反射膜。

2.根据权利要求1所述的等离子蚀刻方法，其特征在于，

上述处理气体为CF₄气体、CF₃I气体和氧气的混合气体；

CF₃I气体流量相对于CF₄气体流量和CF₃I气体流量之和的 比为0.1～0.3。

3.一种等离子蚀刻方法，该方法使用等离子蚀刻装置，该 等离子蚀刻装置包括配置在处理室内且载置基板的下部电极、 与上述下部电极相对地配置在上述处理室内的上部电极、用于 向上述处理室内供给处理气体的处理气体供给机构、用于对上 述下部电极施加高频电力的高频电源，

使用该等离子蚀刻装置将形成于上述基板上的ArF光致抗 蚀剂作为掩模，利用上述处理气体的等离子体对位于上述ArF 光致抗蚀剂的下层的、含有Si的防反射膜进行蚀刻，

该等离子蚀刻方法的特征在于，

作为上述处理气体，使用含有CF类气体、CHF类气体、CF₃I 气体、氧气的混合气体，或者CF类气体、CF₃I气体、氧气的混合气 体，或者CHF类气体、CF₃I气体、氧气的混合气体，而且，具有 对上述上部电极施加直流电压、抑制上述ArF光致抗蚀剂的损 伤并蚀刻上述防反射膜的工序；

在对上述防反射膜进行蚀刻之前，进行处理上述ArF光致 抗蚀剂的处理工序，该处理工序是将H₂气体、或者H₂气体和 N₂气体、或者H₂气体和Ar气体作为ArF光致抗蚀剂处理用气 体，将该ArF光致抗蚀剂处理用气体等离子化后作用于上述 ArF光致抗蚀剂的等离子处理。

4.根据权利要求3所述的等离子蚀刻方法，其特征在于，

对上述上部电极施加的直流电压的电压值的范围为- 1000V～-300V，对上述下部电极施加电力值为100W～300W 的偏压用的高频电力。

5.根据权利要求3所述的等离子蚀刻方法，其特征在于，

上述处理气体为CF₄气体、CF₃I气体和氧气的混合气体；

CF₃I气体流量相对于CF₄气体流量和CF₃I气体流量之和的 比为0.1～0.3。

6.一种等离子蚀刻装置，其包括配置在处理室内且载置基 板的下部电极、与上述下部电极相对地配置在上述处理室内的 上部电极、用于向上述处理室内供给处理气体的处理气体供给 机构、用于对上述下部电极施加高频电力的高频电源，其特征 在于，

包括控制部，该控制部进行控制，使得在将形成于上述基 板上的ArF光致抗蚀剂作为掩模、利用上述处理气体的等离子 体对位于上述ArF光致抗蚀剂的下层的含有Si的防反射膜进行 蚀刻时，自上述处理气体供给机构供给作为处理气体的含有CF 类气体、CHF类气体、CF₃I气体、氧气的混合气体，或者CF类气体、 CF₃I气体、氧气的混合气体，或者CHF类气体、CF₃I气体、氧气的 混合气体，而且，利用直流电源在直流电压值为-1000V～- 300V的范围内对上述上部电极施加直流电压，并且，对上述下 部电极施加电力值为100W～300W的偏压用的高频电力，从而 抑制上述ArF光致抗蚀剂的损伤并蚀刻上述防反射膜。