[发明专利]固定转导偏压电路装置以及提供固定转导偏压电路的方法

权利要求书

1.一种固定转导偏压电路装置，包括：

一压控电阻，耦接于一供应电压上；

一固定转导偏压电路，耦接于上述压控电阻，并且具有提供一固定电 流的一输出；以及

一反馈电路，耦接于上述固定转导偏压电路内的一电压节点，并且提 供一反馈电压以控制上述压控电阻的数值大小；

其中上述固定转导偏压电路具有负温度相依性的特性以及上述压控电 阻具有正温度相依性的特性，

其中上述固定转导偏压电路还包括：

一第一P型金属氧化物半导体晶体管，具有耦接于上述压控电阻和一 第一节点之间的电流传导路径，并且上述第一P型金属氧化物半导体晶体 管具有一栅极；

一第一N型金属氧化物半导体晶体管，于上述第一节点和一参考接地 点之间电性连接成二极管，并且上述第一N型金属氧化物半导体晶体管具 有耦接至上述电压节点的一栅极；

一第二N型金属氧化物半导体晶体管，具有耦接于一第二电路节点和 上述参考接地点之间的电流传导路径，并且上述第二N型金属氧化物半导 体晶体管具有耦接至上述电压节点的一栅极；以及

一第二P型金属氧化物半导体晶体管，具有耦接于参考电流输出点和 上述第二电路节点之间的电流传导路径，并且上述第二P型金属氧化物半 导体晶体管电性连接成二极管以及上述第二P型金属氧化物半导体晶体管 的栅极与上述第一P型金属氧化物半导体晶体管的栅极耦接；

其中在上述参考电流输出点上所提供的电流与上述供应电压为不相依 的。

2.如权利要求1所述的固定转导偏压电路装置，其中上述反馈电路包 括具有一负增益的一放大器。

3.如权利要求1所述的固定转导偏压电路装置，其中上述压控电阻还 包括：

一金属氧化物半导体晶体管，耦接于上述供应电压和一固定电阻之间， 且根据输入至上述金属氧化物半导体晶体管的栅极端的上述反馈电压提供 至上述固定电阻中的电流；以及

一第二固定电阻，与串联的上述金属氧化物半导体晶体管和上述固定 电阻以并联的方式耦接；

其中上述金属氧化物半导体晶体管为一第三P型金属氧化物半导体晶 体管。

4.如权利要求3所述的固定转导偏压电路装置，其中当上述反馈电压 下降时，上述第三P型金属氧化物半导体晶体管增加至上述固定电阻中的 电流，因此减少了上述压控电阻的电阻值大小。

5.如权利要求4所述的固定转导偏压电路装置，其中上述反馈电压上 升时，上述第三P型金属氧化物半导体晶体管减少至上述固定电阻中的电 流，因此增加了上述压控电阻的电阻值大小。

6.如权利要求1所述的固定转导偏压电路装置，其中上述固定转导偏 压电路的移动率的温度相依性的斜率趋近于0，并且与上述压控电阻的温 度相依性的斜率为相反的。