[发明专利]像素阵列有效
申请号: | 201010003890.3 | 申请日: | 2010-01-15 |
公开(公告)号: | CN101776826A | 公开(公告)日: | 2010-07-14 |
发明(设计)人: | 郭威宏;杨敦钧;李锡烈;黄伟明 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/133;G06F3/041;H01L27/02 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;祁建国 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 阵列 | ||
技术领域
本发明是有关于一种像素阵列,且特别是有关于一种具有储存电容器的像素阵列。
背景技术
随着信息技术、无线移动通讯和信息家电的快速发展与应用,为了达到携带更便利、体积更轻巧化以及操作更人性化的目的,许多信息产品已由传统的键盘或滑鼠等输入装置转变为使用触控面板(Touch Panel)作为输入装置。
一般的触控面板是在原本的面板上外加一具有触控功能的膜层。然而,这种外贴式的触控面板的制造过程会多一道组装面板与触控膜层的步骤,且触控膜层会导致触控面板的穿透率下降、厚度增加。因此,外加具有触控功能的膜层将不利于面板朝向轻、薄、短、小的方向发展。
针对这样的需求,已知技术发展出内嵌式(in-cell type)触控面板,其将触控膜层的功能整合至面板内。目前,内嵌式触控面板大致上可分为电阻式、电容式、光学式、声波式及电磁式,其中内嵌电阻式的触控面板是在对向基板与间隔物(photo spacer)上形成多个触控导体并在有源元件阵列基板上形成多个触控垫,当使用者按压对向基板时,可使间隔物上的触控导体与有源元件阵列基板上的触控垫导通,以定位出使用者所按压的位置。
图1A绘示已知内嵌式触控面板的彩色滤光片的上视图,而图1B绘示搭配图1A的彩色滤光片的有源元件阵列基板的上视图。请参照图1A,在已知的内嵌式触控面板中,构成彩色滤光片110的红色树脂112、蓝色树脂114、绿色树脂116是以条纹状的方式排列。换言之,红色树脂112排列成多行,蓝色树脂114排列成多行,而绿色树脂116也排列成多行,且不同颜色的树脂不会排列在同一行。
请同时参照图1A与图1B,在已知的内嵌式触控面板中,有源元件阵列基板D包括多条扫描线120、多条数据线130、多个像素140、多个触控单元150与多条公共线160,其中扫描线120与数据线130交错以定义出多个成阵列排列的子像素区域S1,且每相邻的三个子像素区域S1可构成一像素区域S。像素140分别位于对应的像素区域S中,且各像素140分别具有三个子像素142,且这三个子像素142分别配置在像素区域S的三个子像素区域S1中。为搭配彩色滤光片110上的红色树脂112、蓝色树脂114与绿色树脂116的条纹状排列方式,子像素142需以条纹状的方式排列。
详细而言,各子像素142包括一有源元件142a、一像素电极142b以及一储存电容器142c,其中各有源元件142a连接在对应的像素电极142b以及数据线130之间。公共线160横跨位于同一行的多个子像素区域S1,并电性连接位于同一行的多个子像素区域S 1中的储存电容器142c。公共线160配置在像素电极142b边缘的下方,并与像素电极142b重叠。另外,各触控单元150配置在对应的像素区域S内并横跨相邻的三个子像素区域S1。
每一子像素区域S1中都配置有一储存电容器142c,且各储存电容器142c具有一电容上电极R1与一电容下电极R2,其中电容上电极R1与像素电极142b连接,而电容下电极R2与公共线160连接。电容下电极R2配置在像素电极142b边缘的下方,并与电容上电极R1重叠,其中电容下电极R2为一不透光的金属层。由于每一子像素区域S1中都配置有一储存电容器142c,而不透光的电容下电极R2会遮蔽到像素电极142b的边缘,因此,像素140的开口率偏低。
另外,由于公共线160需连接每一个储存电容器142c的电容下电极R2,因此,公共线160需横跨每一子像素区域S1,以至于公共线160会遮蔽到每一像素电极142b,而使得像素140的开口率降低。
再者,为避免漏光现象,还需在像素区域S上形成黑矩阵(未绘示)以遮蔽储存电容器142c与公共线160,且为确保黑矩阵的遮光效果,黑矩阵的面积需大于储存电容器142c与公共线160的面积。详细而言,为使黑矩阵完整遮蔽公共线160与储存电容器142c,黑矩阵的图形边缘会超过公共线160与储存电容器142c的边缘。因此,当公共线160或者是储存电容器142c的电容下电极R2重叠在像素电极142b的区域边缘愈长,则黑矩阵的面积愈大且像素的开口率愈低。
然而,由于已知的公共线160与储存电容器142c的电容下电极R2皆配置在像素电极142b边缘的下方,因此,其重叠在像素电极142b的区域是属于边缘很长的长条形,故黑矩阵的面积较大,而这将导致黑矩阵遮蔽到过多的像素电极142b以至于开口率(aperture ratio)降低。
发明内容
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于友达光电股份有限公司,未经友达光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010003890.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。