[发明专利]多色调光掩模、多色调光掩模制造方法以及图案转印方法

权利要求书

1.一种多色调光掩模，其通过分别对形成在透明基板上的至少半透 光膜和遮光膜进行图案加工，从而具有形成有遮光部、透光部和半透光 部的转印图案，通过利用该转印图案对透射的曝光光量进行控制，从而 在被转印体上的抗蚀剂膜上形成具有两个以上不同抗蚀剂残膜值的抗蚀 剂图案，该多色调光掩模的特征在于，

所述遮光部是在所述透明基板上至少形成所述遮光膜而形成的，

所述透光部是露出所述透明基板而形成的，

所述半透光部具有由形成在所述透明基板上的半透光膜构成的正常 部、和由形成在所述透明基板上的修正膜构成的修正部，

所述透光部与所述修正部之间针对从波长365nm的i线到波长 436nm的g线的波长区域中的波长光的相位差为80度以下。

2.根据权利要求1所述的多色调光掩模，其特征在于，所述正常部 与所述修正部之间针对从波长365nm的i线到波长436nm的g线的波长 区域中的波长光的相位差为80度以下。

3.一种多色调光掩模，其通过分别对形成在透明基板上的至少半透 光膜和遮光膜进行图案加工，从而具有形成有遮光部、透光部和半透光 部的转印图案，通过利用该转印图案对透射的曝光光量进行控制，从而 在被转印体上的抗蚀剂膜上形成具有两个以上不同抗蚀剂残膜值的抗蚀 剂图案，该多色调光掩模的特征在于，

所述遮光部是在所述透明基板上至少形成所述遮光膜而形成的，

所述透光部是露出所述透明基板而形成的，

所述半透光部具有由形成在所述透明基板上的半透光膜构成的正常 部、和由形成在所述透明基板上的修正膜构成的修正部，

所述正常部与所述透光部之间、所述正常部与所述修正部之间、所 述透光部与所述修正部之间针对从波长365nm的i线到波长436nm的g 线的波长区域中的波长光的相位差均为80度以下。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的多色调光掩模，其特征在于， 所述正常部与所述修正部的透射率波长依赖性实质上相等。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的多色调光掩模，其特征在于， 所述半透光膜由含有硅化钼化合物的材料构成。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的多色调光掩模，其特征在于， 所述修正膜由含有钼和硅的材料构成。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的多色调光掩模，其特征在于， 所述遮光部是在所述透明基板上依次至少形成所述半透光膜和所述遮光 膜而成的。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的多色调光掩模，其特征在于， 所述多色调光掩模是用于制造薄膜晶体管的光掩模，所述遮光部包含与 所述薄膜晶体管的源区和漏区对应的部分，所述半透光部包含与所述薄 膜晶体管的沟道对应的部分。

9.一种图案转印方法，其特征在于，使用权利要求1至3中任一项 所述的多色调光掩模，通过曝光机将所述转印图案转印到被转印体上。

10.一种多色调光掩模制造方法，所述多色调光掩模通过分别对形 成在透明基板上的至少半透光膜和遮光膜进行图案加工，从而具有形成 有遮光部、透光部和半透光部的转印图案，通过利用该转印图案对透射 的曝光光量进行控制，从而在被转印体上的抗蚀剂膜上形成具有两个以 上不同抗蚀剂残膜值的抗蚀剂图案，其特征在于，该多色调光掩模制造 方法具有以下工序：

准备在所述透明基板上至少形成有半透光膜和遮光膜的光掩模坯体 的工序；

通过光刻法分别对所述半透光膜和所述遮光膜进行图案加工，由此 形成具有遮光部、透光部以及半透光部的转印图案的构图工序；以及

对在所形成的所述转印图案上产生的缺陷进行修正的修正工序，

在所述修正工序中，在所述半透光膜的欠缺部、或者去除了所述半 透光膜或所述遮光膜的去除部中形成修正膜而成为修正部，

所述透光部与所述修正部之间针对从波长365nm的i线到波长 436nm的g线的波长区域中的波长光的相位差设为80度以下。