[发明专利]非易失性存储装置及操作该存储装置的方法

权利要求书

1.一种非易失性存储装置，包括：

第一节点；

电流源，被配置为具有根据所述第一节点的电压确定的电流值；以及

耦合到所述第一节点的存储单元串，所述存储单元串包括至少一个存储单元；

其中，基于所述第一节点的电压确定包括在所述存储单元串中的所述至少一个存储单元之一是否已被编程。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其中，所述第一节点的电压与所要读取的所述至少一个存储单元的存储单元的阈值电压的大小成比例地增大。

3.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，还包括电压源，其中所述电流源包括MOS晶体管，所述MOS晶体管具有耦合到所述电压源的栅极二极管。

4.一种非易失性存储装置，包括：

多个数据锁存单元；

存储单元串，其包括至少一个存储单元；

电流提供单元，被配置为向所述存储单元串提供电流；

位线开关单元，被配置为选择性地将所述存储单元串耦合到所述电流提供单元；

第一感测节点和第二感测节点；以及

位线感测单元，被配置为将所述位线开关单元和所述电流提供单元所耦合到的所述第一感测节点选择性地耦合到所述多个数据锁存单元所耦合到的所述第二感测节点，

其中，基于所述第一感测节点的电压确定包括在所述存储单元串中的所述至少一个存储单元之一是否已被编程。

5.根据权利要求4所述的非易失性存储装置，其中，所述电流提供单元包括：

电流源；以及

电流传递单元，被配置为响应于控制信号而将所述电流源的电流提供给所述第一感测节点。

6.根据权利要求4所述的非易失性存储装置，其中，所述位线开关单元包括NMOS晶体管，所述NMOS晶体管被配置为响应于位线选择信号而将所述存储单元串耦合到所述电流提供单元。

7.根据权利要求6所述的非易失性存储装置，其中，所述位线开关单元还包括：

可变电压输入端，被配置为提供可变电压；以及

NMOS晶体管，被配置为响应于放电信号而将所述可变电压输入端耦合到所述存储单元串的位线。

8.一种操作非易失性存储装置的方法，所述方法包括：

提供所述非易失性存储装置，所述非易失性存储装置包括存储单元串和选择性地耦合到所述存储单元串的电流提供单元；

将位线放电到低电平；

向耦合到目标读取单元的字线提供参考电压，并向耦合到其余的单元的字线提供通过电压；

将所述电流提供单元、所述位线和所述存储单元串耦合在一起；

根据所述目标读取单元的阈值电压是否大于所述参考电压来改变由所述电流提供单元提供并流过所述存储单元串的电流的大小；

根据由所述电流提供单元提供的电流的大小来确定向所述电流提供单元与所述存储单元串之间的节点提供的电压；以及

感测所述节点的电压并在锁存单元中存储所感测的电压。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，根据所述目标读取单元的阈值电压是否大于所述参考电压来改变由所述电流提供单元提供并流过所述存储单元串的电流的大小包括：

在所述目标读取单元的所述阈值电压大于所述参考电压的情况下提供第一电流；并且

在所述目标读取单元的所述阈值电压小于所述参考电压的情况下提供大于所述第一电流的第二电流。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，根据由所述电流提供单元提供的电流的大小确定向所述电流提供单元与所述存储单元串之间的节点提供的电压包括：在所述电流的大小增大的情况下减小提供给所述节点的电压。