[发明专利]页面缓冲电路和非易失性存储装置

权利要求书

1.一种页面缓冲电路，包括：

感测放大单元，其配置成将参考电压与选择的存储块的位线的位线电压相比较，并且将感测节点的电压电平增加所述参考电压与所述位线电压之间的差，其中所述位线电压根据选择的存储单元的编程状态而经历改变；以及

若干锁存电路，其配置成根据所述感测节点的电压电平来锁存编程验证数据。

2.如权利要求1所述的页面缓冲电路，其中，所述参考电压是根据电压下降而变化的电压，所述电压下降起因于当所述位线被预充电时发生的所述位线的泄漏电流，其中所述位线由选择的存储块和未被选择的存储块共享。

3.如权利要求1所述的页面缓冲电路，其中，所述感测放大单元包括具有交叉耦合的部件的放大电路。

4.一种非易失性存储装置，包括：

存储单元阵列，其包括若干存储块，每个存储块包括存储单元，所述存储单元耦合到若干字线和若干位线以形成第一位线组和第二位线组；以及

页面缓冲单元，其配置成包括页面缓冲器，每个页面缓冲器耦合到所述第一位线组中包括的第一位线中的至少一个，并且配置成当执行编程验证操作时，将通过起因于来自所述第二位线组中包括的第二位线的泄漏电流的电压下降而改变的第二位线电压与所述第一位线组中包括的第一位线的第一位线电压相比较，所述第一位线电压根据选择的存储单元的编程状态而变化，将感测节点的电压电平增加所述第一和第二位线电压之间的差，并且根据所述感测节点的电压电平来存储验证数据。

5.如权利要求4所述的非易失性存储装置，其中，配置成在所述第二位线组中将所述第二位线组与单元串耦合在一起的第一选择晶体管配置成保持关断状态。

6.如权利要求5所述的非易失性存储装置，其中，接地节点与所述第一选择晶体管的栅极耦合。

7.如权利要求5所述的非易失性存储装置，其中，所述页面缓冲单元包括：

感测放大单元，其配置成将所述第一位线电压与所述第二位线电压相比较，并且将与所述第一位线耦合的所述感测节点的电压电平增加所述第一和第二位线电压之间的差；以及

若干锁存电路，其配置成根据所述感测节点的电压电平来锁存所述验证数据。

8.如权利要求7所述的非易失性存储装置，其中，所述第二位线电压对应于根据所述第二位线的电压下降而变化的电压，所述电压下降起因于当所述第二位线被预充电时发生的所述位线的泄漏电流，其中所述位线由所述存储单元阵列中的选择的存储块和未被选择的存储块共享。

9.如权利要求7所述的非易失性存储装置，其中，所述感测放大单元包括具有交叉耦合的部件的放大电路。

10.一种非易失性存储装置，包括：

存储单元阵列，其包括若干存储块，每个存储块包括存储单元，所述存储单元耦合到若干字线和若干位线；以及

电压控制单元，其配置成响应于起因于由所述存储单元阵列的针对编程而选择的存储块与未被选择的存储块所共享的位线的泄漏电流的电压下降，在选择的存储块的快速编程验证操作中，在检查验证数据之前，将页面缓冲器的感测节点的电压电平增加所述电压下降的量。