[发明专利]像素阵列有效
申请号: | 201010004290.9 | 申请日: | 2010-01-20 |
公开(公告)号: | CN101782703A | 公开(公告)日: | 2010-07-21 |
发明(设计)人: | 詹德威 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L23/528 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;祁建国 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 阵列 | ||
1.一种像素阵列,包括:
多条扫描线;
多条数据线,与所述扫描线交错以定义出多个子像素区域;
多个子像素,配置在所述子像素区域内,各该子像素分别与其中一条扫 描线以及其中一条数据线电性连接,而排列在第n列中的各该子像素包括:
一第一开关;
一第二开关,该第一开关以及该第二开关与第n条扫描线以及第m 条数据线电性连接,而该第一开关具有一信号输出端;
一第一像素电极,与该第一开关电性连接;
一第二像素电极,与该第二开关电性连接,该第二像素电极具有一 开口以容纳该第一像素电极,且在各该子像素中,该第一像素电极被该 第二像素电极所环绕;
一第三开关,与第n+1条扫描线以及该第二像素电极电性连接,该 第三开关具有一电性浮置端;
其中各该第二像素电极包括:
一第一子区块;
一第二子区块;以及
至少一连接线,与该第一子区块以及该第二子区块连接,在各 该子像素中,该第一像素电极位于该第一子区块与该第二子区块之间, 且第一像素电极被该第一子区块、该第二子区块以及该连接线所环绕。
2.根据权利要求1所述的像素阵列,其中排列在第n列中的各该第一开 关为一第一薄膜电晶体,而该第一薄膜电晶体具有一与第n条扫描线电性连接 的第一栅极、一与其中一条数据线电性连接的第一源极以及与该第一像素电极 电性连接的该信号输出端。
3.根据权利要求1所述的像素阵列,其中排列在第n列中的各该第二开 关为一第二薄膜电晶体,而该第二薄膜电晶体具有一与第n条扫描线电性连接 的第二栅极、一与其中一条数据线电性连接的第二源极以及一第二漏极。
4.根据权利要求1所述的像素阵列,其中排列在第n列中的各该第三开 关为一第三薄膜电晶体,而该第三薄膜电晶体具有一与第n+1条扫描线电性连 接的第三栅极、一与该第二像素电极电性连接的第三源极以及该电性浮置端。
5.根据权利要求1所述的像素阵列,其中该电性浮置端从第n+1条扫描 线延伸至该第二子区块以及该第一像素电极下方。
6.根据权利要求1所述的像素阵列,更包括:
多条第一公共线,分布在所述第一子区块以及所述第一像素电极下方; 以及
多条第二公共线,分布在所述第二子区块下方。
7.根据权利要求1所述的像素阵列,其中该信号输出端的部分区域位在 第一公共线上方。
8.根据权利要求6所述的像素阵列,其中所述第二公共线的至少部分区 域位于所述电性浮置端下方。
9.根据权利要求1所述的像素阵列,其中各该第一子区块具有至少一位 于该信号输出端上方的第一开口。
10.根据权利要求1所述的像素阵列,其中该第二子区块具有至少一位于 该电性浮置端上方的第二开口。
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