[发明专利]像素阵列有效

专利信息
申请号: 201010004290.9 申请日: 2010-01-20
公开(公告)号: CN101782703A 公开(公告)日: 2010-07-21
发明(设计)人: 詹德威 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L23/528
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 梁挥;祁建国
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 像素 阵列
【权利要求书】:

1.一种像素阵列,包括:

多条扫描线;

多条数据线,与所述扫描线交错以定义出多个子像素区域;

多个子像素,配置在所述子像素区域内,各该子像素分别与其中一条扫 描线以及其中一条数据线电性连接,而排列在第n列中的各该子像素包括:

一第一开关;

一第二开关,该第一开关以及该第二开关与第n条扫描线以及第m 条数据线电性连接,而该第一开关具有一信号输出端;

一第一像素电极,与该第一开关电性连接;

一第二像素电极,与该第二开关电性连接,该第二像素电极具有一 开口以容纳该第一像素电极,且在各该子像素中,该第一像素电极被该 第二像素电极所环绕;

一第三开关,与第n+1条扫描线以及该第二像素电极电性连接,该 第三开关具有一电性浮置端;

其中各该第二像素电极包括:

一第一子区块;

一第二子区块;以及

至少一连接线,与该第一子区块以及该第二子区块连接,在各 该子像素中,该第一像素电极位于该第一子区块与该第二子区块之间, 且第一像素电极被该第一子区块、该第二子区块以及该连接线所环绕。

2.根据权利要求1所述的像素阵列,其中排列在第n列中的各该第一开 关为一第一薄膜电晶体,而该第一薄膜电晶体具有一与第n条扫描线电性连接 的第一栅极、一与其中一条数据线电性连接的第一源极以及与该第一像素电极 电性连接的该信号输出端。

3.根据权利要求1所述的像素阵列,其中排列在第n列中的各该第二开 关为一第二薄膜电晶体,而该第二薄膜电晶体具有一与第n条扫描线电性连接 的第二栅极、一与其中一条数据线电性连接的第二源极以及一第二漏极。

4.根据权利要求1所述的像素阵列,其中排列在第n列中的各该第三开 关为一第三薄膜电晶体,而该第三薄膜电晶体具有一与第n+1条扫描线电性连 接的第三栅极、一与该第二像素电极电性连接的第三源极以及该电性浮置端。

5.根据权利要求1所述的像素阵列,其中该电性浮置端从第n+1条扫描 线延伸至该第二子区块以及该第一像素电极下方。

6.根据权利要求1所述的像素阵列,更包括:

多条第一公共线,分布在所述第一子区块以及所述第一像素电极下方; 以及

多条第二公共线,分布在所述第二子区块下方。

7.根据权利要求1所述的像素阵列,其中该信号输出端的部分区域位在 第一公共线上方。

8.根据权利要求6所述的像素阵列,其中所述第二公共线的至少部分区 域位于所述电性浮置端下方。

9.根据权利要求1所述的像素阵列,其中各该第一子区块具有至少一位 于该信号输出端上方的第一开口。

10.根据权利要求1所述的像素阵列,其中该第二子区块具有至少一位于 该电性浮置端上方的第二开口。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于友达光电股份有限公司,未经友达光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010004290.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top