[发明专利]一种存储装置

说明书

技术领域

本发明是关于一种半导体存储器，特别是关于一种具有扭转的数据线 的非易失性存储装置，该扭转的数据线用以避免过度擦除的存储单元结果 与正常的存储单元结果耦合。

背景技术

非易失半导体存储装置被设计用来可在电源供应被移除的情况下，仍 然可以储存已编程的数据。目前经常被使用的非易失半导体存储装置包含 只读存储器(ROM)，其通常是在制造时被编程以储存一固定的位样态，且 之后不可以再被编程。可编程只读存储器(PROM)则是一种可编程存储装 置，其可以使用可编程只读存储器(PROM)程序器进行一次编程。可擦除 可编程只读存储器(EPROM)可以像可编程只读存储器(PROM)进行编程， 但是也可以利用像是紫外线将此存储器内的所有位改变为一已知状态(如： 逻辑1)来进行擦除。电性可擦除可编程只读存储器(EEPROM)是与可擦除 可编程只读存储器(EPROM)类似，但是可以将所储存的单一位以电性进行 擦除。一种称为闪存的电性可擦除可编程只读存储器(EEPROM)，通常是 以区块方式进行擦除，但是闪存可以对单一位进行编程。

闪存的一个存储单元通常可以施加编程电压至此装置的一个终端来 进行编程，其会注入电荷至此存储单元的电荷捕捉部分，且改变此存储单 元的阈值电压Vt。当此阈值电压Vt编程至两个可分辨区间之一时，则此 称为单阶存储单元(SLC)的存储单元可以在其中储存一位的数据(如：”0” 或”1”)。在一般情况下，通常认为一未编程(如被擦除的)的单阶存储单元 (SLC)所储存的数据值是”1”。

一个快闪存储单元可以通过施加读取电压至此装置的一个终端及检 测一漏极电流的电流阶级来进行读取，因此得到此存储单元阈值电压Vt 的一个数值。一个擦除或未编程的存储单元具有接近0V的阈值电压Vt， 而举例而言，一个编程的单阶存储单元可以具有3V的阈值电压Vt。对于 如此的单阶存储单元(SLC)而言，施加一个接近0V的读取电压至一未编程 存储单元可预期得到一个可检测的漏极电流，其对应所储存的数据值 是”1”。施加相同的读取电压至一已编程存储单元通常得到一个不可检测 的漏极电流，其对应所储存的数据值是”0”。

如同上述的单阶存储单元的操作假设一被擦除的存储单元具有一个 接近0V的阈值电压Vt。但是，一个被擦除的存储单元理想上具有一个接 近0V的阈值电压Vt，一个存储单元某些时候会被过度擦除，所以其阈值 电压实际上会是负的。编程一个过度擦除的存储单元或许会导致其阈值电 压分布会与一理想阶级有偏差，其偏差会在自此存储器读取数据时潜在地 造成错误。

因此，需要对传统的闪存读取过度擦除的存储单元时所使用的方法与 装置进行改良。

发明内容

本发明的一目的为根据一实施例提供一种存储装置包括一存储阵列 包括多个区块，每一个该区块具有多条位线。此实施例包含多个感测放大 器，具有一第一输入端以自该存储阵列接收一存储单元信号及一第二输入 端以接收一参考信号。此实施例更包含多条数据线各自耦接成自该存储阵 列中的一第一组位线传送存储单元信号至该第一输入端，以及多条参考数 据线能够连接该第二输入端至该存储阵列中的一第二组位线。

在本发明一实施例中，该第一组被分配在一个或多个第一区块中，以 及该第二组被分配在一个或多个第二区块中，该第二区块与该第一区块不 同。

在本发明另一实施例中，该第一组位线中的位线安排在多个不同的区 块中，且该第二组位线中的位线分别安排在靠近该第一组位线中的位线。

本发明的装置及方法在此详细地描述以解释其功能，但是必须明白了 解的是本发明的权利要求范围，除了明确表示之外，并不应该解释为”功 能手段”或是”操作步骤”的限制，而是可以在符合法律规定下适用于均等论。

此处所描述的特征及其组合是包含于本发明的范围内，只要其组合不 是无法兼容的话，由说明书文字及实施例中本领域技术人员均能明了。此 外，除了任何实施例明确排除的技术特征及其组合之外，亦包含于本发明 的范畴。本发明的结构及方法已通过参考详述于下的该较佳实施例与例示 而揭露的同时。需了解的是，该些实施例与例示仅为例示性之用而为非用 以限制本发明。本发明是由权利要求范围所界定。这些和其它目的，特征， 和实施例，会在下列实施方式的章节中搭配图式被描述。