[发明专利]具备两个自由层的CPP型磁阻效应元件的检查方法有效

专利信息
申请号: 201010004484.9 申请日: 2010-01-21
公开(公告)号: CN101807406A 公开(公告)日: 2010-08-18
发明(设计)人: 町田贵彦;野口洁;宫内大助 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: G11B5/455 分类号: G11B5/455;G11B5/39
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 李浩;王忠忠
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 具备 两个 自由 cpp 磁阻 效应 元件 检查 方法
【权利要求书】:

1.一种磁阻效应元件的检查方法,该磁阻效应元件具有磁 阻效应部,所述磁阻效应部具有非磁性中间层、以夹持该非磁性 中间层的方式层叠形成并且发挥自由层功能的第一强磁性层以 及发挥自由层功能的第二强磁性层,并且,该磁阻效应元件是在 该磁阻效应部的层叠方向上施加检测电流而成的CPP结构,在 所述磁阻效应部的与作为介质对置面的气垫面垂直的Y方向的 后部,形成有对第一强磁性层以及第二强磁性层的磁化方向的实 质性正交作用施加影响的正交偏置功能部,该检查方法的特征在 于,

使所述正交偏置功能部的磁化方向分别变更为由元件的前 方朝向后方的第一磁化形成方式以及由元件后方朝向前方的第 二磁化形成方式,按照每个磁化形成方式分别测定元件针对外部 磁场的输出波形,并对照这二者的输出波形的状态,由此,检查 发挥自由层功能的第一强磁性层以及第二强磁性层的磁化方向 是否在所述正交偏置功能部发挥作用前的状态下成为沿着磁道 宽度方向的反平行状态;

其中,将Y方向上靠近气垫面的一侧标记为“元件的前方”, 其相反侧标记为“元件的后方”。

2.如权利要求1所述的磁阻效应元件的检查方法,其中,

分别对照所述二者的输出波形的非对称性,由此,检查发挥 自由层功能的第一强磁性层以及第二强磁性层的磁化方向是否 在所述正交偏置功能部发挥作用前的状态下成为沿着磁道宽度 方向的反平行状态。

3.如权利要求1所述的磁阻效应元件的检查方法,其中,

同时描绘所述二者的输出波形的图表并进行一体化,判断一 体化后的图表是否具有以施加磁场O的纵轴为基准的对称关系, 即,是否得到镜像关系,由此,检查发挥自由层功能的第一强磁 性层以及第二强磁性层的磁化方向是否在所述正交偏置功能部 发挥作用前的状态下成为沿着磁道宽度方向的反平行状态。

4.如权利要求1所述的磁阻效应元件的检查方法,其中,

将从呈矩阵状配置形成在晶圆基板上的磁阻效应元件组之 中选定的特定的多个磁阻效应元件作为检查对象,保持在晶圆工 艺完成状态进行检查。

5.如权利要求1所述的磁阻效应元件的检查方法,其中,

将呈矩阵状配置形成在晶圆基板上的磁阻效应元件组切分 为多个条状态,将从存在于被切分后的条中的磁阻效应元件组之 中选定的特定的多个磁阻效应元件作为检查对象,保持在被切分 后的条状态进行检查。

6.如权利要求1所述的磁阻效应元件的检查方法,其中,

在包含一个磁阻效应元件的滑块状态下进行检查。

7.如权利要求1所述的磁阻效应元件的检查方法,其中,

在磁头万向节组件的状态下进行检查,该磁头万向节组件包 括:包含一个磁阻效应元件的滑块、和弹性地支承该滑块的悬架。

8.如权利要求1所述的磁阻效应元件的检查方法,其中,

从所述元件的前方向后方的第一磁化形成方式以该被着磁 后的磁化方向从介质对置面即ABS朝向元件的内侧即后方的方 式构成,从所述元件的后方向前方的第二磁化形成方式以被着磁 后的磁化方向从元件的内侧即后方朝向介质对置面即ABS的方 式构成。

9.如权利要求8所述的磁阻效应元件的检查方法,其中,

从所述元件的前方向后方的第一磁化形成方式以及从所述 元件的后方向前方的第二磁化形成方式中的磁化方向是与介质 对置面即ABS垂直的方向。

10.如权利要求1所述的磁阻效应元件的检查方法,其中,

发挥自由层功能的第一强磁性层以及发挥自由层功能的第 二强磁性层隔着非磁性中间层以二者的磁化方向彼此成为反平 行状态的方式进行交换耦合。

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