[发明专利]具有保护层的半导体发光元件

权利要求书

1.一种发光元件，至少包含：

散热基板；

第一连接层位于该散热基板之上；

保护层位于该第一连接层之上，其中该保护层具有高绝缘性；

第二连接层位于该保护层之上；以及

发光单元包含外延结构且位于该第二连接层之上，其中该外延结构至少包含第一电性半导体层、第二电性半导体层、以及活性层介于该第一电性半导体层及该第二电性半导体层之间，且该保护层可避免该发光单元与该散热基板之间形成漏电路径。

2.如权利要求1所述的发光元件，其中还包含反射层位于该第一连接层与该保护层之间；以及附着层位于该反射层与该保护层之间。

3.如权利要求1所述的发光元件，其中该外延结构中至少具有一个粗化界面，以增加该外延结构的出光效率。

4.如权利要求1所述的发光元件，其中该保护层为无掺杂杂质的氮化镓或无掺杂杂质的III-V族材料所组成。

5.如权利要求2所述的发光元件，其中该反射层为铝、银或其它高反射率材料所组成；该附着层为氧化铟锡、氧化锌所组成。

6.如权利要求1所述的发光元件，其中该第一连接层可由焊锡、低温金属、及金属硅化物等所组成，如PbSn、AuGe、AuBe、AuSi、Sn、In、PdIn；形成该第二连接层材料可为BCB、Epoxy、SOG、SU8等高分子材料，或为氧化物如TiO₂、Ti₂O₅、Ta₂O₃、Ta₂O₅、ITO、AZO、ZnO及Al₂O₃，或氮化物如SiON_X、SiN_X、GaN、AlN，或diamond。

7.一种发光装置，至少包含：

散热基板；

第一连接层位于该散热基板之上；

保护层位于该第一连接层之上；

第二连接层位于该保护层之上；

微管芯发光模块位于该第二连接层之上，其中该发光模块具有至少二微管芯，且每一微管芯均具有至少一活性层；以及

导电结构，电性连接该各微管芯。

8.如权利要求7所述的发光装置，其中该导电结构可使各微管芯的各活性层在直流电或交流电操作下发光。

9.如权利要求7所述的发光装置，其中还包含反射层位于该第一连接层与该保护层之间；以及附着层位于该反射层与该保护层之间。

10.如权利要求7所述的发光装置，其中该保护层为无掺杂杂质的氮化镓或无掺杂杂质的III-V族材料所组成。

11.如权利要求9所述的发光装置，其中该反射层为铝、银或其它高反射率材料所组成；该附着层为氧化铟锡、氧化锌所组成。

12.如权利要求7所述的发光装置，其中各微管芯间的电性连接包含串联或并联。

13.如权利要求7所述的发光装置，其中各微管芯具有相同波长或相异波长。

14.如权利要求7所述的发光装置，其中该第一连接层可由焊锡、低温金属、及金属硅化物等所组成，如PbSn、AuGe、AuBe、AuSi、Sn、In、PdIn；形成该第二连接层材料可为BCB、Epoxy、SOG、SU8等高分子材料，或为氧化物如TiO₂、Ti₂O₅、Ta₂O₃、Ta₂O₅、ITO、AZO、ZnO及Al₂O₃，或氮化物如SiON_X、SiN_X、GaN、AlN，或diamond。

15.一种具有可避免逆向电流击穿结构的半导体元件，至少包含：

散热基板；

第一连接层位于该散热基板之上；

保护层位于该第一连接层之上；

第二连接层位于该保护层之上；

发光二极管位于该第二连接层之上；以及

导电结构电性连接该保护层及该发光二极管，以成为反向并联的电性连接。