[发明专利]硅酸镓镧系列晶体高温零温度补偿切型及应用有效
| 申请号： | 201010011815.1 | 申请日： | 2010-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN101775657A | 公开（公告）日： | 2010-07-14 |
| 发明（设计）人： | 于法鹏;袁多荣;张树君;潘立虎;尹鑫;郭世义;段秀兰;赵显 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B29/34 | 分类号： | C30B29/34;G01D3/036 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 赵会祥 |
| 地址： | 250100山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅酸 系列 晶体 高温 温度 补偿 应用 | ||
1.硅酸镓镧系列晶体切型，其特征在于，对于32点群的硅酸镓镧系列晶体，正的d11的 方向取为x的正方向，y、z方向根据右手螺旋法则确定；晶体厚度方向为Y，长度方向为X， 以X方向按右手螺旋法则旋转α角度，记为YXltw(α)，-90°＜α＜+20°，+α为逆时针旋转，-α 为顺时针旋转；切型尺寸比例为厚度∶宽度∶长度＝0.2～2∶6～12∶6～12。
2.如权利要求1所述的硅酸镓镧系列晶体切型，其特征在于，所述切型样品尺寸比例为 厚度∶宽度∶长度＝1.5∶9∶9。
3.如权利要求1所述的硅酸镓镧系列晶体切型，其特征在于，对于硅酸镓镧晶体(LGS)， 旋转角度-10°＜α＜+20°。
4.如权利要求1所述的硅酸镓镧系列晶体切型，其特征在于，对于铌酸镓镧晶体(LGN)， 旋转角度-10°＜α＜+20°。
5.如权利要求1所述的硅酸镓镧系列晶体切型，其特征在于，对于钽酸镓镧(LGT)晶 体，旋转角度-30°＜α＜+10°。
6.如权利要求1所述的硅酸镓镧系列晶体切型，其特征在于，对于Ca3TaGa3Si2O14(CTGS) 或Ca3NbGa3Si2O14(CNGS)晶体，旋转角度-40°＜α＜0°。
7.如权利要求1所述的硅酸镓镧系列晶体切型，其特征在于，对于Sr3TaGa3Si2O14(STGS) 或Sr3NbGa3Si2O14(SNGS)晶体，旋转角度-90°＜α＜-30°。
8.权利要求1～7任一项所述的硅酸镓镧系列晶体零温度补偿切型的应用，用于高温传 感器中作为频率器件，在硅酸镓镧系列晶体零温度补偿切型厚度方向上镀铂金电极，电极厚 度为200-220nm。
9.如权利要求8所述的硅酸镓镧系列晶体零温度补偿切型的应用，其特征在于，硅酸镓 镧系列晶体的使用温度范围如下：LGS、LGN或LGT使用温度小于600℃；CTGS、CNGS、STGS、 SNGS、CNAS或CTAS使用温度小于900℃。
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