[发明专利]半导体性碳纳米管薄膜的制备方法

权利要求书

1.半导体性碳纳米管薄膜的制备方法，其特征在于：在分散的碳纳米管溶液中，加入与半导体性碳纳米管选择性吸附的介质，并在介质表面形成半导体性碳纳米管富集层，最后分离、提纯碳纳米管溶液中的半导体性碳纳米管薄膜。

2.根据权利要求1所述的半导体性碳纳米管薄膜的制备方法，其特征在于包括步骤：

I、将碳纳米管超声溶解制成碳纳米管分散液，并将碳纳米管分散液添加到吸附用容器中；

II、向吸附用容器里添加吸附用介质，以浸润的方式形成介质表面的半导体性碳纳米管富集层；

III、将吸附用介质和半导体性碳纳米管富集层放入添加有酸性溶液的容器中，酸化、溶解并去除吸附用介质，得到纯的半导体性碳纳米管薄膜。

3.根据权利要求2所述的半导体性碳纳米管薄膜的制备方法，其特征在于：步骤I中所述碳纳米管为由激光蒸发法、电弧放电法或化学气相沉积法所制备的任何一种含有金属性碳纳米管和半导体性碳纳米管的单壁碳纳米管或多壁碳纳米管。

4.根据权利要求2所述的半导体性碳纳米管薄膜的制备方法，其特征在于：步骤II中所述吸附用介质为多糖、蛋白质、高分子聚合物，以及无机或有机高分子弹性凝胶中的任何一种或多种混用。

5.根据权利要求2所述的半导体性碳纳米管薄膜的制备方法，其特征在于：所述吸附用介质和碳纳米管分散液之一含有表面活性剂。

6.根据权利要求5所述的半导体性碳纳米管薄膜的制备方法，其特征在于：所述表面活性剂选用阴离子表面活性剂、阳离子表面活性剂、两性表面活性剂和非离子表面活性剂中任意一种或混合使用。

7.根据权利要求6所述的半导体性碳纳米管薄膜的制备方法，其特征在于：所述阴离子表面活性剂选用碳链10～14的直链烃基硫酸盐。

8.根据权利要求7所述的半导体性碳纳米管薄膜的制备方法，其特征在于：所述阴离子表面活性剂为十二烷基硫酸钠、胆酸钠或者十二烷基硫酸钠和胆酸钠的混合物。

9.根据权利要求5所述的半导体性碳纳米管薄膜的制备方法，其特征在于：所述表面活性剂选用两性分子化合物，至少包括DNA、高分子聚合物和蛋白质。

10.根据权利要求2所述的半导体性碳纳米管薄膜的制备方法，其特征在于：步骤III中酸化去除吸附用杂质的酸性溶液为任意一种无机酸或任意一种有机酸，或任意无机酸或有机酸的混合使用。