[发明专利]半导体器件及形成CMOS器件应力膜的方法有效
| 申请号： | 201010022575.5 | 申请日： | 2010-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN102122638A | 公开（公告）日： | 2011-07-13 |
| 发明（设计）人： | 叶好华;王媛;潘梓诚 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 cmos 器件 应力 方法 | ||
1.一种形成CMOS器件应力膜的方法，其特征在于，包括步骤：
提供半导体衬底，所述半导体衬底包括有源区，其中有源区上形成有NMOS晶体管和PMOS晶体管，NMOS晶体管包含有NMOS掺杂区，PMOS晶体管包含有位于N阱内的PMOS掺杂区，在NMOS掺杂区和PMOS掺杂区之间具有隔离区；
在半导体衬底上形成应力膜，所述应力膜覆盖NMOS晶体管和PMOS晶体管；
去除PMOS晶体管及隔离区上的应力膜。
2.根据权利要求1所述的形成CMOS器件应力膜的方法，其特征在于，
去除PMOS晶体管及隔离区上的应力膜的步骤包括：
在所述应力膜上形成光掩膜层；
根据N阱位置定位所述PMOS晶体管在有源区的位置，并利用其确定所述有源区中NMOS晶体管位置；
对光掩膜层进行光刻，保留所述有源区中NMOS晶体管位置所对应的光掩膜层，形成光掩膜图形；
利用所述光掩膜图形做掩膜对应力膜进行刻蚀。
3.根据权利要求1所述的形成CMOS器件应力膜的方法，其特征在于，
去除PMOS晶体管及隔离区上的应力膜步骤后进一步的还包括：退火。
4.根据权利要求3所述的形成CMOS器件应力膜的方法，其特征在于，
所述退火步骤包括：
快速热退火，温度为950摄氏度～1150摄氏度；
激光热退火，温度为1150摄氏度～1350摄氏度。
5.一种形成CMOS器件应力膜的方法，其特征在于，包括步骤：
提供半导体衬底，所述半导体衬底包括有源区，其中有源区上形成有NMOS晶体管和PMOS晶体管，PMOS晶体管包含有PMOS掺杂区，NMOS晶体管包含有位于P阱内的NMOS掺杂区，在NMOS掺杂区和PMOS掺杂区之间具有隔离区；
在半导体衬底上形成应力膜，所述应力膜覆盖NMOS晶体管和PMOS晶体管；
去除NMOS晶体管及隔离区上的应力膜。
6.根据权利要求5所述的形成CMOS器件应力膜的方法，其特征在于，
去除NMOS晶体管及隔离区上的应力膜的步骤包括：
在所述应力膜上形成光掩膜层；
根据P阱位置定位所述NMOS晶体管在有源区的位置，并利用其确定所述有源区中PMOS晶体管位置；
对光掩膜层进行光刻，保留所述有源区中PMOS晶体管位置所对应的光掩膜层，形成光掩膜图形；
利用所述光掩膜图形做掩膜对应力膜进行刻蚀。
7.根据权利要求5所述的形成CMOS器件应力膜的方法，其特征在于，
去除NMOS晶体管及隔离区上的应力膜步骤后进一步的还包括：退火。
8.根据权利要求7所述的形成CMOS器件应力膜的方法，其特征在于，
所述退火步骤包括：
快速热退火，温度为950摄氏度～1150摄氏度；
激光热退火，温度为1150摄氏度～1350摄氏度。
9.一种半导体器件，其特征在于，包括：
半导体衬底，其包括有源区，其中有源区上形成有NMOS晶体管和PMOS晶体管，NMOS晶体管包含有NMOS掺杂区，PMOS晶体管包含有位于N阱内的PMOS掺杂区，在NMOS掺杂区和PMOS掺杂区之间具有隔离区；
在所述半导体衬底上具有应力膜，所述应力膜覆盖NMOS晶体管。
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，
所述应力膜为氮化硅，厚度为300埃～600埃。
11.一种半导体器件，其特征在于，包括：
半导体衬底，其包括有源区，其中有源区上形成有NMOS晶体管和PMOS晶体管，PMOS晶体管包含有PMOS掺杂区，NMOS晶体管包含有位于P阱内的NMOS掺杂区，在NMOS掺杂区和PMOS掺杂区之间具有隔离区；
在所述半导体衬底上具有应力膜，所述应力膜覆盖PMOS晶体管。
12.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，
所述应力膜为氮化硅，厚度为300埃～600埃。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010022575.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
