[发明专利]光刻方法

权利要求书

1.一种光刻方法，包括：

将设计图形拆分成第一掩模版图和第二掩模版图，所述第一掩模版图和所述第二掩模版图重叠的区域为设计图形；

采用所述第一掩模版图对硅片进行曝光显影，所述硅片至少包括待刻蚀层和位于所述待刻蚀层表面的硬掩模层，通过第一次刻蚀将所述第一掩模版图转移至所述硅片的硬掩模层上；

在所述硬掩模层和所述待刻蚀层的表面形成第二光刻胶层，将所述第二掩模版图转移至所述第二光刻胶层上，并基于所述第二光刻胶层和所述硬掩模层进行第二次刻蚀，将所述设计图形转移至所述硅片的待刻蚀层上。

2.如权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述第一掩模版图和第二掩模版图重叠的区域为设计图形是指，第一掩模版图的一个图案和第二掩模版图的至少一个图案之间相互重叠，并且所构成的重叠区域形成所述设计图形的至少一个图案。

3.如权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述采用第一掩模版图对硅片进行曝光显影之前包括：

形成硅片；

在所述硅片表面形成第一光刻胶层。

4.如权利要求3所述的光刻方法，其特征在于，所述形成硅片包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成待刻蚀层；

在所述待刻蚀层上形成硬掩模层。

5.如权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述硬掩模层为氮氧化硅层。

6.如权利要求5所述的光刻方法，其特征在于，所述通过第一次刻蚀将所述第一掩模版图转移至所述硅片的硬掩模层上的过程中，所选用的刻蚀气体为三氟甲烷与氩气，其中，三氟甲烷与氩气的体积比为1∶3至1∶0.3。

7.如权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述在硬掩模层和待刻蚀层的表面形成第二光刻胶层，将所述第二掩模版图转移至所述第二光刻胶层上，并基于所述第二光刻胶层和所述硬掩模层进行第二次刻蚀，将所述设计图形转移至所述硅片的待刻蚀层上包括：

在所述硬掩模层和所述待刻蚀层的表面形成第二光刻胶层；

采用所述第二掩模版图对所述硅片进行曝光和显影，将所述第二掩模版图的图案转移至所述第二光刻胶层上；

基于所述第二光刻胶层和所述硬掩模层，对所述硅片的待刻蚀层进行刻蚀。

8.如权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述将第二掩模版图的图案转移至第二光刻胶层上是指：基于所述第二掩模版图对所述第二光刻胶层进行曝光和显影，暴露出部分待刻蚀层。

9.如权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述基于第二光刻胶层和硬掩模层，对所述硅片的待刻蚀层进行刻蚀，所选用的刻蚀气体不与所述硬掩模层相作用。

10.如权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层中分别采用正胶。