[发明专利]硅辛格活性晶体无效

专利信息
申请号: 201010022684.7 申请日: 2010-01-12
公开(公告)号: CN102125582A 公开(公告)日: 2011-07-20
发明(设计)人: 叶莉 申请(专利权)人: 叶莉
主分类号: A61K33/30 分类号: A61K33/30;A61K9/16;A61P3/10;A61P9/12;A61K33/22;A61K33/00;A61K33/24;A61K33/08
代理公司: 上海东亚专利商标代理有限公司 31208 代理人: 罗习群
地址: 200062 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 硅辛格 活性 晶体
【权利要求书】:

1.一种硅辛格活性晶体,其特征在于,该活性晶体由下列组份构成:

纳米级硅微粉按重量比,占40%;

四硼酸钠 按重量比,占20%;

氧化镁 按重量比,占8%;

碳酸钾 按重量比,占9%;

氧化锌 按重量比,占7%;

碳酸锶 按重量比,占10%;

三氯化二铬 按重量比,占6%。

2.按权利要求1所述的硅辛格活性晶体的制作工艺,包括如下步骤:

步骤1 按配比原料以硅微粉铺底,复盖四硼酸钠后依次投入均匀搅拌;

步骤2 预热石英甘锅至700℃-800℃;

步骤3 将搅拌均匀的原料投入锅内加温1300℃熔炼24小时;

步骤4 注入造粒机,按各种规格制成颗粒;

步骤5 磨砂至成品。 

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