[发明专利]硅辛格活性晶体无效
申请号: | 201010022684.7 | 申请日: | 2010-01-12 |
公开(公告)号: | CN102125582A | 公开(公告)日: | 2011-07-20 |
发明(设计)人: | 叶莉 | 申请(专利权)人: | 叶莉 |
主分类号: | A61K33/30 | 分类号: | A61K33/30;A61K9/16;A61P3/10;A61P9/12;A61K33/22;A61K33/00;A61K33/24;A61K33/08 |
代理公司: | 上海东亚专利商标代理有限公司 31208 | 代理人: | 罗习群 |
地址: | 200062 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅辛格 活性 晶体 | ||
1.一种硅辛格活性晶体,其特征在于,该活性晶体由下列组份构成:
纳米级硅微粉按重量比,占40%;
四硼酸钠 按重量比,占20%;
氧化镁 按重量比,占8%;
碳酸钾 按重量比,占9%;
氧化锌 按重量比,占7%;
碳酸锶 按重量比,占10%;
三氯化二铬 按重量比,占6%。
2.按权利要求1所述的硅辛格活性晶体的制作工艺,包括如下步骤:
步骤1 按配比原料以硅微粉铺底,复盖四硼酸钠后依次投入均匀搅拌;
步骤2 预热石英甘锅至700℃-800℃;
步骤3 将搅拌均匀的原料投入锅内加温1300℃熔炼24小时;
步骤4 注入造粒机,按各种规格制成颗粒;
步骤5 磨砂至成品。
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