[发明专利]电荷泵

权利要求书

1.一种电荷泵，其特征在于，至少包括一个充电电路和放电电路，所述充电电路包括：开关PMOS管和充电PMOS管；所述放电电路包括：开关NMOS管和放电NMOS管；并且，所述充电PMOS管的漏极和放电NMOS管的漏极相连作为所述电荷泵的输出，还包括：

与所述电荷泵的输出端相连的充电补偿信号电路，所述充电补偿信号电路当电荷泵输出端的充电电流不足时产生充电补偿信号；与所述电荷泵的输出端和充电补偿信号电路相连的充电补偿电路，所述充电补偿电路在接收到充电补偿信号后，对电荷泵的输出端进行充电补偿；

与所述电荷泵的输出端相连的放电补偿信号电路，所述放电补偿信号电路当电荷泵输出端的放电电流不足时产生放电补偿信号；与所述电荷泵的输出端和放电补偿信号电路相连的放电补偿电路，所述放电补偿电路在接收到放电补偿信号后，对电荷泵的输出端进行放电补偿。

2.如权利要求1所述的电荷泵，其特征在于，所述充电补偿电路包括充电补偿管和匹配管，所述匹配管的源极接VDD，栅极接地，漏极与充电补偿管的源极相连；所述充电补偿管的漏极与电荷泵的输出端相连，栅极接收充电补偿信号。

3.如权利要求2所述的电荷泵，其特征在于，所述充电补偿信号电路包括第一虚拟PMOS管、第一补偿PMOS管、第一控制NMOS管以及至少一个用于充电补偿的NMOS管，所述第一虚拟PMOS管的源极接VDD，栅极接地，漏极与第一补偿PMOS管的源极相连；第一补偿PMOS管的栅极与漏极相连，并输出充电补偿信号；第一控制NMOS管的栅极与电荷泵输出相连，漏极与第一补偿PMOS管的漏极相连；用于充电补偿的NMOS管的栅极和漏极相连，并接于第一控制NMOS管的源极，源极接地。

4.如权利要求1所述的电荷泵，其特征在于，所述放电补偿电路包括放电补偿管和匹配管，所述匹配管的源极接地，栅极接VDD，漏极与放电补偿管的源极相连；所述放电补偿管的漏极与电荷泵的输出端相连，栅极接收放电补偿信号。

5.如权利要求4所述的电荷泵，其特征在于，所述放电补偿信号电路包括第一虚拟NMOS管、第一补偿NMOS管、第一控制PMOS管以及至少一个用于放电补偿的PMOS管，所述第一虚拟NMOS管的源极接地，栅极接VDD，漏极与第一补偿NMOS管的源极相连；第一补偿NMOS管的栅极与漏极相连，并输出放电补偿信号；第一控制PMOS管的栅极与电荷泵输出相连，漏极与第一补偿NMOS管的漏极相连；用于充电补偿的PMOS管的栅极和漏极相连，并接于第一控制PMOS管的源极，源极接VDD。

6.如权利要求1所述的电荷泵，其特征在于，所述充电电路还包括接于开关PMOS管的漏极，用于将开关PMOS管开启或关闭的瞬间产生的瞬态电流引走的第一引流电路。

7.如权利要求6所述的电荷泵，其特征在于，所述第一引流电路包括引流NMOS管，所述引流NMOS管的漏极接于开关PMOS管的漏极，栅极接收充电信号，源极接地。

8.如权利要求1所述的电荷泵，其特征在于，所述放电电路还包括接于开关NMOS管的漏极，用于将开关NMOS管开启或关闭的瞬间产生的瞬态电流引走的第二引流电路。

9.如权利要求8所述的电荷泵，其特征在于，所述第二引流电路包括引流PMOS管，所述引流PMOS管的漏极接于开关NMOS管的漏极，栅极接收放电信号，源极接VDD。

10.如权利要求1所述的电荷泵，其特征在于，所述充电电路还包括第一电容，所述第一电容跨接在VDD和充电PMOS管的栅极之间。

11.如权利要求1所述的电荷泵，其特征在于，所述放电电路还包括第二电容，所述第二电容跨接在放电PMOS管的栅极和地之间。