[发明专利]射频低噪声放大器无效
| 申请号： | 201010022695.5 | 申请日： | 2010-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN102122921A | 公开（公告）日： | 2011-07-13 |
| 发明（设计）人： | 张平山;潘建平 | 申请（专利权）人： | 无锡百阳科技有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/193 | 分类号： | H03F3/193;H03F3/45;H03F1/22 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市震*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 射频 低噪声放大器 | ||
1.一种射频低噪声放大器，包括差分放大电路和偏置调节电路，其特征在于，所述差分放大电路包括：第一MOS管和第二MOS管，所述第一MOS管的栅极和第二MOS管的栅极分别通过第一隔直电容、第一电感和第二隔直电容、第二电感与差分射频输入端相连，所述第一MOS管的源极和第二MOS管的源极分别通过第三电感和第四电感接地，所述第一MOS管的漏极和第二MOS管的漏极分别通过第五电感和第六电感接于VDD，并且，所述第一MOS管的漏极和第二MOS管的漏极分别与差分射频输出端相连；所述偏置调节电路用于向差分放大电路的第一MOS管和第二MOS管提供偏置电压。
2.如权利要求1所述的射频低噪声放大器，其特征在于，所述偏置调节电路包括：电流源、第三MOS管和第一电阻；所述第三MOS管的漏极和栅极通过电流源接于VDD，源极接地；所述第一电阻的一端与所述第三MOS管的栅极相连，另一端与所述差分放大电路的第一MOS管和第二MOS管的栅极相连。
3.如权利要求1所述的射频低噪声放大器，其特征在于，所述差分放大电路还包括第一电容，所述第一电容与第五电感并联后跨接在VDD和第一MOS管的漏极之间。
4.如权利要求1所述的射频低噪声放大器，其特征在于，所述差分放大电路还包括第二电容，所述第二电容与第六电感并联后跨接在VDD和第二MOS管的漏极之间。
5.如权利要求1所述的射频低噪声放大器，其特征在于，在所述第一MOS管的栅极和源极之间还跨接有第一补充电容。
6.如权利要求1所述的射频低噪声放大器，其特征在于，在所述第二MOS管的栅极和源极之间还跨接有第二补充电容。
7.一种射频信号接收装置，包括射频低噪声放大器和混频器，所述射频低噪声放大器包括差分放大电路和偏置调节电路，所述混频器与射频低噪声放大器的输出端相连，其特征在于，所述差分放大电路包括：第一MOS管和第二MOS管，所述第一MOS管的栅极和第二MOS管的栅极分别通过第一隔直电容、第一电感和第二隔直电容、第二电感与差分射频输入端相连，所述第一MOS管的源极和第二MOS管的源极分别通过第三电感和第四电感接地，所述第一MOS管的漏极和第二MOS管的漏极分别通过第五电感和第六电感接于VDD，并且，所述第一MOS管的漏极和第二MOS管的漏极分别与差分射频输出端相连；所述偏置调节电路用于向差分放大电路的第一MOS管和第二MOS管提供偏置电压。
8.如权利要求7所述的射频信号接收装置，其特征在于，所述偏置调节电路包括：电流源、第三MOS管和第一电阻；所述第三MOS管的漏极和栅极通过电流源接于VDD，源极接地；所述第一电阻的一端与所述第三MOS管的栅极相连，另一端与所述差分放大电路的第一MOS管和第二MOS管的栅极相连。
9.如权利要求7所述的射频信号接收装置，其特征在于，在所述第一MOS管的栅极和源极之间还跨接有第一补充电容。
10.如权利要求7所述的射频信号接收装置，其特征在于，在所述第二MOS管的栅极和源极之间还跨接有第二补充电容。
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