[发明专利]优化RF MOS变容器布局的方法和RF MOS变容器有效
| 申请号： | 201010022697.4 | 申请日： | 2010-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN102129481A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 吴颜明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50;H01L27/08;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 优化 rf mos 容器 布局 方法 | ||
1.一种优化RF MOS变容器布局的方法，其特征在于，包括：
根据RF MOS变容器的栅极面积，确定RF MOS变容器栅极条数目预定值；
根据栅极条数目预定值，测试栅极条长度为不同值时对应的电容值随频率变化的衰减率，根据电容值的衰减率的范围确定栅极条长度范围；
在栅极条长度范围内选取栅极条长度数值，测试栅极条数目为不同值时对应的电容值随频率变化的衰减率，根据电容值的衰减率的范围确定栅极条数目范围。
2.根据权利要求1所述的优化RF MOS变容器布局的方法，其特征在于，所述电容值的衰减率的范围为大于等于80％。
3.根据权利要求1所述的优化RF MOS变容器布局的方法，其特征在于，还包括步骤：在栅极条长度范围内选取栅极条长度数值，测试栅极条数目为不同数值时对应的调谐范围，根据调谐范围的范围优化栅极条的数目范围。
4.根据权利要求3所述的优化RF MOS变容器布局的方法，其特征在于，所述调谐范围为大于等于4.8。
5.根据权利要求3所述的优化RF MOS变容器布局的方法，其特征在于，还包括步骤：在栅极条长度范围内选取栅极条长度数值，测试栅极条数目为不同数值时对应的品质因子，根据品质因子的范围优化栅极条的数目范围。
6.根据权利要求5所述的优化RF MOS变容器布局的方法，其特征在于，所述品质因子范围为大于4.9。
7.一种根据权利1～6中任一项所述的优化RF MOS变容器布局的方法形成的RF MOS变容器，其特征在于：所述栅极条的两侧的端部均通过接触孔与第一金属互连线电连接，所述栅极条长度范围为0.5～3微米，所述栅极条宽度范围为1～24微米，所述栅极条数目范围为2～12个。
8.根据权利要求7所述的RF MOS变容器，其特征在于，所述栅极面积为1～864平方微米。
9.根据权利要求8所述的RF MOS变容器，其特征在于，所述栅极面积为24平方微米。
10.根据权利要求7所述的RF MOS变容器，其特征在于，所述栅极为多晶硅，所述栅极的导电类型为N型。
11.根据权利要求7所述的RF MOS变容器，其特征在于，还包括：深掺杂阱、源/漏极，所述源/漏极、掺杂阱的导电类型与栅极的导电类型相同。
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