[发明专利]一种功率MOS场效应管的制作方法

权利要求书

1.一种功率MOS场效应管的制作方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：

在所述功率MOS场效应管的衬底内刻蚀形成浅沟槽；

在所述浅沟槽内淀积第一氧化层，并对所述第一氧化层进行刻蚀和研磨，去除所述衬底上的所述第一氧化层；

在所述衬底和所述第一氧化层上形成两个多晶硅栅极，再以所述多晶硅栅极为阻挡层在两个所述多晶硅栅极外侧的衬底表面进行离子注入，形成第一有源区和第二有源区；

在所述多晶硅栅极上淀积第二氧化层；

在所述第二氧化层上制作场板。

2.根据权利要求1所述的功率MOS场效应管的制作方法，其特征在于所述第一氧化层为氧化硅层。

3.根据权利要求1所述的功率MOS场效应管的制作方法，其特征在于所述第二氧化层为氧化硅层。

4.根据权利要求1所述的功率MOS场效应管的制作方法，其特征在于所述多晶硅栅极由第三氧化层和多晶硅层组成。

5.根据权利要求4所述的功率MOS场效应管的制作方法，其特征在于所述第三氧化层为氧化硅层。

6.根据权利要求1所述的功率MOS场效应管的制作方法，其特征在于所述研磨为化学机械研磨。